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基于嵌入式系统和led灯的隧道照明方案

案,采用led 灯结合分段控制技术,通过模拟隧道的实验实现了亮度智能控制、照明随车的移动而改变、最大限度节能的目

  https://www.alighting.cn/2012/5/21 10:39:57

图形化衬底led芯片的技术研究

本文的主要研究内容涉及图形化衬底对gan基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了gan

  https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30

基于led光强分布的摩托车信号灯配光设计

实验,结果证明曲面led阵列光强分布的数学模型正确,能够满足国家摩托车配光标准的要求,从而对实现了led摩托车信号灯的配光设计

  https://www.alighting.cn/2011/12/15 10:54:51

基于不同散热模式led的光电热特性研究

d的结构、散热方式、光衰及色坐标漂移进行了分析对比,并进行热特性模拟和实验测试分

  https://www.alighting.cn/resource/20111124/126855.htm2011/11/24 11:14:25

si基光发射材料的探索

光发射体。如何通过已有的物理学原理和可行的微加工技术把它改造成为有效的发光材料 ,甚至成为严格意义上的直接带隙材料 ,给实验研究工作者和材料设计理论工作者提出了挑

  https://www.alighting.cn/2011/10/28 14:00:14

sic缓冲层对si表面生长的zno薄膜结构和光电性能的改善

电性能进行了研究。实验结果表明:sic缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是sic作为柔性衬底能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12

mocvd制备in_xga_(1-x)n/gan mqws的温度依赖性

利用方势阱模型对inxga1-xn/ganmqws结构的光特性进行了量子力学定性理论分析.并在mo源流量恒定条件下,在570℃~640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实

  https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39

led光源数字全息技术研究

用led的时间相干性较差、相干长度短的特点,抑制相干噪声,改善数字全息重建质量。在同一全息记录系统,通过实验,比较了用激光和led光源的数字全息重建图像质

  https://www.alighting.cn/resource/20110920/127111.htm2011/9/20 13:35:45

退火对用pld法制备zno薄膜的发光影响

用x射线衍射(xrd)谱和光致发光谱进行了表征.实验结果表明,随着退火温度的提高,zno薄膜的压应力减小,并向张应力转化

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53

led大屏幕显示屏灰度等级检测技术研究

级之间函数关系,提出了一种显示屏灰度等级的检测方法,利用采集到的灰度差增量幅度的统计结果,得出led大屏幕显示产品灰度级控制的能力。实验结果表明本文方法具有很好的实用

  https://www.alighting.cn/resource/20110819/127291.htm2011/8/19 15:24:42

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