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余80至85%则转换成热，若这些热未适时排出至外界，那么将会使led晶粒界面温度过高而影响发光效率及发光寿命。 led发展 散热是关键 随着led材料及封装技术的不断演进，促使le
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271747.html2012/4/10 23:30:49
善发光效率，以及发光特性均等化。 有关温升问题具体方法是降低封装的热阻抗；维持 led 的使用寿命具体方法，是改善芯片外形、采用小型芯片；改善 led 的发光效率具体方法是改善芯
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271743.html2012/4/10 23:30:37
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271742.html2012/4/10 23:30:28
面，至封装工艺都以提升散热能力和增加发光效率为目标。在本文中，就led封装工艺的最新发展和成果作概括介绍及讨论。芯片设计 从芯片的演变历程中发现，各大led生产商在上游磊晶技术上不
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271741.html2012/4/10 23:30:25
为25lm的高亮度led一般所消耗的功率超过1w。这意味着白光led驱动器ic必须以高效率进行转换，这样它才能不成为热问题的主要成因。另外，在很多情况下都存在空间受限问题，led驱
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271740.html2012/4/10 23:30:22
常有四种不同的驱动电路：(a) 电压源与镇流电阻, (b) 电流源与镇流电阻, (c) 多路电流源, (d) 一路电流源驱动串联led。图5.各个白色led的正向电压(vf)对调节
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271739.html2012/4/10 23:30:19
动电路中，通过检测串联在led上电阻的电压来保证流过led的电流恒定。这种方式可以消除正向电压变化所导致的电流变化，因此可产生固定的led亮度。由于手机电池电压的工作范围一般为3.
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271736.html2012/4/10 23:30:12
境温度的总热阻在300到600℃／w之间，对于一个具有良好结构的功率型led元件，其总热阻约为15到30℃／w。巨大的热阻差异表明普通型led元件只能在很小的输入功率条件下，才能正
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271732.html2012/4/10 23:29:53
者说，使得led的使用寿命也更加缩短。而且，电源的长度大约为灯管长度的五分之一，电源所发的热也集中在这一段里面，使得靠近电源的这些led受到更热的烘烤，因而寿命也比其他地方的le
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型led封装技术主要应满足以下两点要求：1、封装结构要有高的取光效率，2、热阻要尽可能低，这样才能保证功率led的光电性能和可靠性。 半导体led若要作为照明光源，常规产品的光通量
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