LED驱动芯片-阿拉丁站内搜索引擎

站内搜索

阿拉丁已为您找到约 93357条相关结果（用时 0.0358622 秒)

按相关排序按时间排序

旭明光电看好LED照明，力拓中国市场

作为国际上重要的LED芯片厂商，旭明光电(semiLEDs)主要展出了哪些新产品，带来了哪些新技术?对于中国照明市场如何看待?未来又将有着怎样的战略部署?新世纪LED网特在展会期

https://www.alighting.cn/news/20120709/85501.htm2012/7/9 14:21:36

大陆LED产业结构呈“上窄下肥”型态

中，75%产值属下游应用、20.8%属LED封装领域，仅4.2%属LED芯片产

https://www.alighting.cn/news/20110607/90349.htm2011/6/7 9:17:37

LED芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1a，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

LED芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1a，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

LED芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1a，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

LED芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1a，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

LED芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1a，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

LED芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1a，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

LED芯片的技术发展状况

m），最大功率达到400 mw（驱动电流1a，435 nm，芯片尺寸1mm x 1mm），其总体发光效率比正装增加1.6倍。4）全方位反射膜　　除在键合界面制备金属基反射层外，也可

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

浅谈LED驱动电源重要性

LED照明灯具没有可靠的电源和良好的散热,神马"进口芯片"都是浮云!变压器就是LED驱动电源的发动机。没有设计好变压器，选择合适的占空比、磁芯、线径、匝比，吸

http://blog.alighting.cn/129280/archive/2012/6/7/277901.html2012/6/7 14:28:03

首页上一页 415 416 417 418 419 420 421 422 下一页