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路照明led路灯是半导体照明最终进入千家万户的功能性照明的第一步,其优点是省电(功率低,尤其是有效流明数高,一般是90w led光源相当于250w高压钠灯),方向性强(感状视觉增强
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3)?;式中-etfe膜的透射率；?;u-利用系数；?;-每瓦led所发光通量,lm；?;l-亮度,cd/ m2；?;p-每平米etfe气枕表面所需led功率,w。(3)etfe
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能led开发技术。虽 然白光led技术成熟度目前已发展到某个阶段,但毕竟单颗的led功率大约是0.1w左右,光通量会有所限制；换句话说,就是必须将多颗led经由整合 后,才能以「新一
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a)的蓝光led芯片。除了日亚化学之外,全球各大led也积极地开发出高发光效率的白光led,例如cree在已经开始出货30mw的产品,预计在2006年年底投入33∼36mw的le
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光led亮度的数十倍,所以期望利用高功率白光led来代替萤光灯作为照明设备的话,有一个必须克服的困难就是亮度递减的情况。例如,白光led长时间连续使用1w的电力情况下,会造成连续使
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过去led业者为了获利充分的白光led光束,曾经开发大尺寸led晶片试图藉此方式达成预期目标,不过实际上白光led的施加电力持续超过1w以上时光束反而会下降,发光效率则相对降低2
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有的r(红色)、g(绿色)和b(蓝色)3色上,增加了追加了y(黄色)和c(青色)的5色滤光片的面板。在rgb基础上多出y色(黄色)的4色彩色滤光片的面板,和在rgb3色基础上增加
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led焊接条件：(1)烙铁焊接：烙铁(最高30w)尖端温度不超过300℃；焊接时间不超过3秒；焊接时间不超过3秒；焊接位置至少离胶体2毫米。(2)浸焊：浸焊最高温度260℃；浸
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产品应用常识和性能检测如下:(1)烙铁焊接：烙铁(最高30w)尖端温度不超过300℃；焊接时间不超过3秒；焊接位置至少离胶体2毫米。(2)浸焊：浸焊最高温度260℃；浸焊时间不超
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块；其工作电流由早期20ma左右的低功率led,进展到目前的1/3至 1a 左右的高功率led,单颗led的输入功率高达1w以上,甚至到3w、5w。封装方式更进化由于高亮度高功率le
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