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劣环境下长期使用。● 外壳采用高强度铝合金材料，外壳防护等级高达ip65， 具有抗强力碰撞和冲击能力。● 外形美观，安装操作简单方便。 技术参数：防爆标志 ex d iiC T
http://blog.alighting.cn/fkuewxf2010/archive/2010/6/2/47493.html2010/6/2 13:55:00
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http://blog.alighting.cn/massage88/archive/2010/6/2/47492.html2010/6/2 13:54:00
式和灯杆式等多种安装方式，操作简单方便。 技术参数：防爆标志 ex d iib T6/T4 额定电压 220vaC 绝缘等级 i 光源类型 mh气体放电灯 防护等级 ip65 防腐等
http://blog.alighting.cn/fkuewxf2010/archive/2010/6/2/47488.html2010/6/2 13:53:00
构设计和表面密封处理，坚固耐用，防尘防腐。● 吊杆式、吸顶式和壁挂式安装，操作简单方便。 技术参数： 防爆标志 ex d iiC T4 额定电压 220vaC 光源功率 250
http://blog.alighting.cn/fkuewxf2010/archive/2010/6/2/47489.html2010/6/2 13:53:00
术参数：防爆标志 ex dnr b T3/T4 额定电压 220vaC 50hz 外壳防护 ip66 绝缘等级 i 防腐等级 wf2 距高比 1.15 外形尺寸 627×438×16
http://blog.alighting.cn/fkuewxf2010/archive/2010/6/2/47487.html2010/6/2 13:52:00
数： 防爆标志 ex d iib T6/T4 额定电压 220vaC 外壳防护 ip66 绝缘等级 i 防腐等级 wf2 进线口螺纹 g3/4 引入电缆 φ8~φ14mm 距高比
http://blog.alighting.cn/fkuewxf2010/archive/2010/6/2/47486.html2010/6/2 13:51:00
、as等两个以上元素结合而成的ⅲ—ⅴ族；由ⅱ族的zn与ⅵ族的s、se结合而成的ⅱ—ⅵ族；由si与C结合而成的ⅳ—ⅳ族等化合物半导体，主要技术有单晶制作技术、外延技术、掺杂技术、元
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/6/1/47367.html2010/6/1 23:07:00
产品型号：bdn58系列 防爆标志：ⅱb 1.1区、2区危险场所 2.ⅱa、ⅱb、ⅱC类爆炸性气体环境。 3.要求iiC类时请注明。 详细技术参数请参阅沈阳艾意希电
http://blog.alighting.cn/zgiecdq/archive/2010/6/1/47311.html2010/6/1 11:59:00
b) aC/dC24 bad603(C) aC/dC12 2 光源 功率 6*1w/6*3w/5*3w 平均使用寿命 100000 h3 光通量 lm 185/105 4 引入电缆外径 mm
http://blog.alighting.cn/zgiecdq/archive/2010/6/1/47301.html2010/6/1 11:49:00
中亭街于2002年2月建成，位于福州市八一七路南端的闽江之畔，南起解放大桥路口，北至小桥头，街道 全长 500 多米，与福州市的“外滩”--- 江滨大道呈“T”字形布局。 中
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2010/6/1/47298.html2010/6/1 11:37:00
