站内搜索
场。 3.１、ｌｅｄ芯片 芯片是ｌｅｄ的核心，它的内部量子效率的高低直接影响到ｌｅｄ的发光效能，非辐射复合率则决定着芯片产热的大小。可以说只有制造出具有良好质量的ｌｅｄ芯片，才可能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134144.html2011/2/20 23:06:00
命也不会缩短。例如，光输出为25lm的高亮度led一般所消耗的功率超过1w。这意味着白光led驱动器ic必须以高效率进行转换，这样它才能不成为热问题的主要成因。另外，在很多情况下都存
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134147.html2011/2/20 23:06:00
前led产品的结构及产业发展的角度看，照明led产品主要需考虑光学性能、电性能、热性能、辐射安全和寿命等几方面的参数。 光学性能。led的光学性能主要涉及到光谱、光度和色
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134136.html2011/2/20 23:02:00
般是将发光芯片放在散热热沉上，上面装配光学透镜以达到一定光学空间分布，透镜内部填充低应力柔性硅胶。 功率型led要真正进入照明领域，实现家庭日常照明，其要解决的问题还有很多，其
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
度的led，其使用的封装技术若没有对应的强化提升，那么高亮度表现也会因此打折，因此本文将针对hb led的封装技术进行更多讨论，包括光通方面的讨论，也包括热导方面的讨论。 附注：大
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
量，结果显示，发现ingan具有很好的发光能力的原因是，因为在含有in的氮化物半导体中，电洞被由in和氮原子组成的集团（局部效应）有效的捕获，能量没有转化成热，而是有效的转化成了
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
起封装料退化是合理的。 对于封装材料的热退化，d.l.barton等人的研究试验表明[1－4]，塑料在150℃左右会由于单纯的热效应使led的光输出减弱，尽管在寿命试验中没有发现塑
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
摘要：gan具有禁带宽、热导率高等特点，广泛应用于光电子和微电子器件领域。si衬底gan基材料及器件的研制将进一步促进gan基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
作电压在2～200v，恒定工作电流在10～100ma。其恒流温度漂移小于5μa/℃，发光效率大于17lm/w，同时简化了工频驱动电源电路，减小了远距离供电损耗。 关键词：功率
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
光层ｍｑｗ的品质并没有成正比成长，其原是发光层中铟ｉｎｄｉｕｍ的高挥发性和氨ｎｈ３的热裂解效率低是ｍｏｃｖｄ机台所难于克服的难题，氨气ｎｈ３与铟ｉｎｄｉｕｍ的裂解须要很
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
