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“省院合作、市校共建”的建设原则设立，开展高技术研发与应用和高端应用人才培养为主的实体机构，是中国科大创建世界一流研究型大学的重要组成部分，是中科大主体教学和科研体系的外
https://www.alighting.cn/case/2014/3/5/102131_30.htm2014/3/5 10:21:31
led以其高效节能、体积小、寿命长等优点被认为是最有可能进入普通照明领域的一种新型固态光源，但led芯片的光提取效率仍较低。综述了led外延片表面的各种基于微纳光学结构的加工技
https://www.alighting.cn/resource/20140627/124485.htm2014/6/27 10:43:46
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
料特性进行了表征,分析研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与gasb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的inassb外延层
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
片有良好的外延关系
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
“因为研发及生产外延片、芯片的技术与资金门槛较高，封装成为了国内几乎所有led企业起步阶段的选择，但这种拿来主义的做法也为企业深入了解led行业提供了便利”，韩光宇说。2000
https://www.alighting.cn/news/2011310/n576430638.htm2011/3/10 20:13:16
n材料的外延生长。通过x射线衍射结果比较了两组衬底上外延材料的质量,利用原子力显微镜结果对外延层表面形貌进行了分析,最后论述了腐蚀时间的调整对蓝宝石衬底上外延生长氮化镓质量的影响机
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39
c单晶到外延生长和器件制备的全部国产化，为国内微波大功率器件的研发奠定了基
https://www.alighting.cn/resource/20070512/128495.htm2007/5/12 0:00:00
从2006年8月，科技部启动“十一五”863计划新材料领域“半导体照明工程”重大项目以来，我国led外延材料、芯片制造、器件封装、荧光粉等方面均已显现具有自主技术产权的单元技
https://www.alighting.cn/resource/20100216/129019.htm2010/2/16 0:00:00
