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深度讲解高亮度矩阵式led封装技术和解决方案

随着led效率的不断提高,产生的每瓦特流明量不断增大,利用led进行通用照明变得越来越接近实际。比如在2003年,一个相当3000流明的荧光灯管需要采用超过1300个效率为3

  https://www.alighting.cn/resource/20131216/125000.htm2013/12/16 14:15:51

大功率led封装材料的研究进展

环氧树脂封装材料由存在诸多不足,长期以来仅限小功率led的封装,而大功率led的封装只能依赖国外进口的有机硅封装材料。通过高折射率无机氧化物的改性作用而制备的纳米改性有机硅封

  https://www.alighting.cn/2013/12/13 10:54:00

刻蚀深度对si衬底gan基蓝光led性能的影响

为200μm×200μm的芯片分别通高达500ma的大电流在测试台上加速老化。结果表明:刻蚀深度为0.8和1.29μm的芯片相对刻蚀深度为0.5μm的芯片,其正向电压更低且光强衰

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

反射型自镇流led灯性能要求

本标准规定了反射型自镇流led灯的术语和定义、产品分类和命名、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本标准适用外形类似反射型卤钨灯的,在家庭、商业和类似场合作

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:33:07

du8608可控硅调光led驱动方案

宽调制调光、分段式开关调光等。由可控硅调光与白炽灯荧光灯的紧密结合性,使其在市场上占据主要地位。脉宽调制由无法兼容可控硅引线,通常只能应用调光型台灯,而分段式开关调光无法实

  https://www.alighting.cn/resource/2013/12/10/16463_18.htm2013/12/10 16:46:03

【解读】 pl技术用led材料特性检测

可确保样品不会在量测的过程中改变原本的特性,配合mapping技术或将讯号接收器改为ccd,可得到样品空间分布的特性,得知制程的均匀性以回馈mocvd的制程,量测时不需电极可监

  https://www.alighting.cn/resource/2013/12/10/163051_21.htm2013/12/10 16:30:51

无电解电容led电源利弊分析

在一般人的心目里,led本身的寿命已经是非常高了,但是实际的寿命却是非常低,往往是由电源寿命低而引起。而电源的寿命往往取决电解电容的寿命。因为通常认为电解电容的寿命是很

  https://www.alighting.cn/resource/2013/12/10/154144_94.htm2013/12/10 15:41:44

led照明技术在试验厂房中的应用

d照明技术的光源特点及相对传统光源的优越性,详细阐述了led照明技术的实施方案、照度测量、计算方法及节能效益分析,为led照明技术在试验厂房的推广提供了参考和依

  https://www.alighting.cn/2013/12/9 15:34:10

高亮度细粒径荧光粉的封装应用研究

用性能进行了系统试验研究,并结合量产数据对成本控制进行了测算。试验结果表明,博睿yh系列荧光粉与进口商用粉在初始亮度和长期老化性能相当的情况下;打靶集中度具有明显的提升,这对提升封

  https://www.alighting.cn/resource/2013/12/9/151035_01.htm2013/12/9 15:10:35

揭秘led常用的几大连接方式以及相应故障排查

led在应用中的配置形式取决多方面的因素,其中包括应用要求、led参数与数量、输入电压、效率、散热管理、尺寸与布局限制及光学等。最简单的配置形式是单个le,采用这种设计的应用例

  https://www.alighting.cn/2013/12/6 11:07:39

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