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激光剥离gan/al_2o_3材料温度分布的解析分析

分析了脉冲激光作用下gan的剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下gan/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,

  https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56

重庆led推广应用示范工程进展显著

按照国家“十城万盏”led半导体照明应用工程试点工作的总体要求,重庆市科委与重庆市市政、交通、医疗卫生等部门通力合作,重点推广应用隧道照明、室内照明、医疗照明、蓝宝石材料等领

  https://www.alighting.cn/news/20110705/100723.htm2011/7/5 10:16:02

主业增长乏力,晶源电子开拓led战场

8月11日公告,晶源电子拟投资7900万元建设led材料蓝宝石晶片一期项目。该项目计划在公司现有厂区内建设,预计于2012年投产,在全部达产后可形成年产2"-4"蓝宝石晶

  https://www.alighting.cn/news/20110811/115131.htm2011/8/11 9:47:45

imec发布200毫米cmos硅晶片生产技术

imec(interuniversity microelectronics centre,欧洲微电子研究中心)近日发布其最新的硅晶片。在一项名为氮化镓工业联盟计划(iia

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/6/4/188291.html2011/6/4 14:34:00

缓冲层生长压力对mocvd gan性能的影响

利用自制的在位监测系统,研究了用金属有机物化学气相外延法(mocvd)在蓝宝石上生长gan时,gan低温缓冲层的生长压力对高温生长gan外延层性能的影响规律.在位监测曲线及扫

  https://www.alighting.cn/resource/20130625/125485.htm2013/6/25 16:38:58

晶能光电(江西)有限公司「硅发光二极体材料与器件」产业化专案一期工程竣工

近日,晶能光电(江西)有限公司「硅发光二极体材料与器件」产业化专案一期工程竣工,2008年4月30日上午举行了竣工投产典礼。

  https://www.alighting.cn/news/20080509/106455.htm2008/5/9 0:00:00

深圳:稳步构建规划政策体系 扎实推进示范项目建设

8月23日,“十城万盏”碉研小组赴深圳展开调研。目前,深圳市有led相关企业近千家,约占全国三分之一,拥有从材料、外延、芯片、封装、应用和配套辅料产品完整的产业链,具备一

  https://www.alighting.cn/news/20100901/100707.htm2010/9/1 11:01:52

图形反转工艺制作oled器件的阴极分离器

应用az5214光刻胶的反转特性, 在玻璃基板上制作oled器件的阴极分离器。

  https://www.alighting.cn/resource/20141212/123929.htm2014/12/12 14:37:35

mbe低温生长gaas在器件应用上的回顾与新进展

在分子束外延的过程中,使用低温(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09

利用微球层提高有机发光二极管出光效率

采用自组装的方法(提拉法)在普通玻璃盖玻片上制备了聚苯乙烯微球层,对其进行简单的热处理可获得类似微透镜的结构。利用折射率匹配液将其耦合在常规oleds的出光面,研究了其对器

  https://www.alighting.cn/resource/20110908/127174.htm2011/9/8 11:41:29

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