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晶元gan-on-si晶片即将量产 称霸led照明?

晶元光电氮化(gan)布局再下一城。继年初取得德国allos semiconductors矽氮化(gan-on-si)的技术授权后,晶元光电即将于近期投产gan-on-s

  https://www.alighting.cn/pingce/20151214/135203.htm2015/12/14 9:26:23

科锐与nexperia签署gan功率器件专利授权协议

国和国外专利,涵盖了hemt(高电子迁移率场效晶体管)和gan氮化肖特二极管的诸多创

  https://www.alighting.cn/news/20180416/156413.htm2018/4/16 10:41:13

高效eu2+掺杂的氮化物和氮氧化物光转换荧光体白光led

类荧光体成为一朵耀眼的奇葩。   在固态照明推动下,从 2000 年以来,一类热稳性好,化学稳定性和发光特性优良的无毒的稀土激活的氮化物和氮氧化物被强有力的发展,尤以 eu2

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134154.html2011/2/20 23:08:00

助力uv-c led器件开发,欧司朗与hexatech签战略协议

h的知识产权(ip)许可,其中,前者涉及作为hexatech公司2英寸(直径)板开发项目的直接支持的氮化铝(aln)

  https://www.alighting.cn/pingce/20170220/148268.htm2017/2/20 9:34:49

告别蓝宝石 首款硅白光led封装产品上市销售

东芝公司(toshiba corporation)15日宣布,该公司将开始销售白色发光二极管(led)封装产品,为通用和工业led照明解决方案供应商提供一种颇具成本竞争力的产品,来

  https://www.alighting.cn/news/20121217/n630546938.htm2012/12/17 16:31:01

gan功率型led芯片散热性能的测试与分析

与正装led相比,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13

gan倒装焊led芯片的光提取效率模拟与分析

研究结果表明:采用较厚的蓝宝石衬底喝引入ain缓冲层均有利于led光提取效率的提高。

  https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03

p层厚度对sigan垂直结构led出光的影响

利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p面金

  https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48

采钰科技发表8英寸晶圆级led硅封装技术

记者近日特别专访采钰科技总经理暨执行长林俊吉先生、研发暨品保组织副总经理谢建成博士与事业发展二处处长曾德富先生,深入探讨晶圆级led封装的优势以及未来led 封装市场趋势。

  https://www.alighting.cn/news/20100917/118477.htm2010/9/17 0:00:00

散热技术日趋严苛 无封装led将面世

除了从系统角度强化散热性能外,随着led照明的应用普及,对于散热板的要求日趋严苛,led板材料及技术在近年的开发也有所进展,目前最新的趋势是对于硅氮化

  https://www.alighting.cn/news/2013520/n872051857.htm2013/5/20 10:16:28

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