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[研发故事] 率先让蓝色LED发光的赤崎和天野(下)

赤崎和天野研究室于1992年在未使用inGaN单晶的情况下,制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色LED。是在p型alGaN和n型alGaN之间夹住掺杂了zn和si的GaN层双异质结

  https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13

天津2010高效照明产品推广任务完成

按照全国高效照明产品推广工作会议要求,天津市经济和信息化委联合财政局认真组织我市高效照明产品推广工作,广泛发动区县、乡镇、街道力量,设立近百个邮局推广销售网点,刊登绿色照明信息百

  https://www.alighting.cn/news/2011411/n781831203.htm2011/4/11 17:59:52

陶氏化学于韩国天安设的三甲镓新厂动工兴建

美国化工业龙头陶氏化学(dow chemical co.)子公司dow electronic materials宣布,其位于南韩天安(cheonan)的三甲镓(tmg)新厂已

  https://www.alighting.cn/news/20101105/117936.htm2010/11/5 9:56:31

欧司朗任命林肇为亚洲公司新任首席执行官

欧司朗光电半导体亚洲有限公司近日迎来了一位新首席执行官。林肇先生于12 月初接管了公司的亚洲业务;;他同时还担任欧司朗光电半导体的全球销售副总裁。

  https://www.alighting.cn/news/2011126/n381036222.htm2011/12/6 8:42:51

非晶玻璃衬底GaN LEDs 问世

近日,三星尖端技术研究所和首尔大学宣布开发出了第一个由非晶玻璃衬底制造的发光二极管。

  https://www.alighting.cn/news/20111212/99724.htm2011/12/12 15:30:51

激光处理的蓝宝石可增加hvpe GaN厚度

日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的GaN层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)

  https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21

GaN结构相变、电子结构和光学性质

运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法,对纤锌矿结构和氯化钠结构GaN的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究,分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.

  https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05

高效率的LED照明电源设计

从环保和节能考虑,LED 灯是解决照明灯的最佳方案。本文介绍了 LED 照明灯驱动电源的设计。附件为《高效率的LED照明电源设计》pdf,欢迎大家下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/20150326/83820.htm2015/3/26 11:55:20

制备高反射率LED ag欧姆接触(图)

为了在p-GaN上获得低电阻的欧姆接触,人们对具有高反射系数和平滑表面形貌优点的金属蒸镀方法进行了研究。

  https://www.alighting.cn/resource/200858/V15509.htm2008/5/8 10:55:47

制备高反射率LED ag欧姆接触(图)

为了在 p-GaN 上获得低电阻的欧姆接触,人们对具有高反射系数和平滑表面形貌优点的金属蒸镀方法进行了研究。

  https://www.alighting.cn/news/200858/V15509.htm2008/5/8 10:55:47

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