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汉的新厂房里，用于生产高亮(hb)GaN le
https://www.alighting.cn/news/20070718/116622.htm2007/7/18 0:00:00
本周，电气和电子工程师协会(ieee)在美国华盛顿举行了国际电子元件大会(iedm)，会上，来自日本大阪的松下集团发布了一款超高压氮化镓(GaN)功率晶体管，其崩溃电压超
https://www.alighting.cn/news/20071218/118185.htm2007/12/18 0:00:00
署了一份文件。这是一份有关俄罗斯照明计划的文件，为下一代基于GaN半导体芯片的新型普通照明创建一个高技术的工业生产体
https://www.alighting.cn/news/20081216/121241.htm2008/12/16 0:00:00
最新报告显示，2010年第三季生产GaN led的金属有机化学气相沉积(mocvd)设备出货量又创新高，同时在2011和2012年供给增长将进一步超过需求成长的预期下，led过
https://www.alighting.cn/news/20110308/90910.htm2011/3/8 13:50:08
led 的核心材料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前，基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业应用价
https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29
德国爱思强股份有限公司今日宣布，与波兰华沙大学签订mocvd 系统新订单。根据合同，华沙大学订购了一台3x2 英寸规格的近耦合喷淋头(ccs)反应器，将用于氮化镓(GaN)材
https://www.alighting.cn/news/20120509/113375.htm2012/5/9 10:36:35
虽然东芝和普瑞光电合作仅数月，他们已经对外公布在8英寸矽衬底生长出高品质的GaN，所得led芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1v，电流为350ma的情况下该芯片功耗为61
https://www.alighting.cn/news/20120516/113503.htm2012/5/16 11:24:52
2007年4月11日，aixtron ag 宣布三星电机(semco)一月份再订其两台aix 2600g3ht mocvd系统用以生产高亮(hb)蓝、白光GaN led，两台工具
https://www.alighting.cn/news/20070412/117119.htm2007/4/12 0:00:00
据aixtron报道，昨日宣布收到来自上海蓝光新的mocvd设备订单，四套配置是crius® 31x2英寸 mocvd，用于生产高亮GaN led。据悉，这是上海蓝光在今
https://www.alighting.cn/news/20100826/117401.htm2010/8/26 0:00:00
日亚化学开发出连续振荡时中心波长为488nm的蓝绿色半导体激光元件，08年3月开始样品供货。该产品在使用GaN系半导体激光元件并已投产的品种中，发光波长最长。
https://www.alighting.cn/news/20080125/118964.htm2008/1/25 0:00:00
