站内搜索
根据多年来芯片制作的经验，我们从外延到芯片制作的各个工序，探讨了可能影响led稳定性的原因，并提出了部
https://www.alighting.cn/resource/2007928/V12817.htm2007/9/28 14:16:49
本文为4月份，ge代表在厦门会议中的演讲讲义，文中涉及到的一些led在照明应用市场上面的趋势和ge的观点，值得借鉴；
https://www.alighting.cn/resource/20110415/127737.htm2011/4/15 18:16:16
首款led（发光二极管）常规照明产品的面世，花了相当长的一段时间，但它的推出，让我们可以预见到照明的未来。
https://www.alighting.cn/resource/20050608/128865.htm2005/6/8 0:00:00
介绍了一种带有凹槽和硅通孔(throughsiliconvia，tsv)的硅基制备以及晶圆级白光led 的封装方法。针对硅基大功率led 的封装结构建立了热传导模型，并通过有限
https://www.alighting.cn/2014/7/24 9:53:19
研究发现不同厚度GaN 薄膜的吸收截止边均在3.38ev 附近，在它们的光致发光(pl)光谱中也观察到了相同位置带边峰。
https://www.alighting.cn/2014/12/15 11:41:03
采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59
虽然GaN leds的发展相当成功，但是使用有机金属化学气相沉积(mocvd)制程却让它们的p型掺杂
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127976.htm2010/7/12 18:09:51
在分析GaN led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于inGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50
通过反射高能电子衍射仪(rheed)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ecr-pemocvd 装置中清洗氮化实验表面晶质的rheed图像,研究了常规清洗和ecr等离子体所产生的活
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127392.htm2011/7/26 18:57:31
2005年7月13日：一些专家认为，GaN可以在氧化锌(zno)衬底生长以制作无需荧光粉的白光leds，这种器件有可能获得更大的光输出并改善器件效能。
https://www.alighting.cn/resource/20050930/128446.htm2005/9/30 0:00:00
