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采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
界上第一只GaN基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底GaN基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
在si衬底GaN 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
韩国led厂商为了和中国业者竞争，首尔半导体(seoul semiconductor)和lg积极研发GaN基板，封测厂也有意用硅取代环氧树脂(epoxy)，强化产品效能、延长使
https://www.alighting.cn/news/20141020/n335366513.htm2014/10/20 15:14:28
日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件，预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。
https://www.alighting.cn/news/2011329/n797930941.htm2011/3/29 19:08:31
strategies unlimited在日前最新发布的研究报告中指出，目前市场对蓝紫光激光二极管、uv led以及其他器件的需求日益增长，这将推动类似GaN和aln等先进衬底市
https://www.alighting.cn/news/20090601/95276.htm2009/6/1 0:00:00
美国化合物半导体衬底大厂technology and devices international inc.（tdi）日前宣布，该公司推出4英吋，约100毫米的GaN磊外延片和al
https://www.alighting.cn/news/20070907/105476.htm2007/9/7 0:00:00
a barbara；ucsb）非极性GaN材料研究团队，日前宣佈该团队研发出的蓝紫光inGaN le..
https://www.alighting.cn/news/20070510/106256.htm2007/5/10 0:00:00
松下在“electronica 2014”上展示了用于汽车前灯的白色led。松下的白色led的特点是，蓝色led芯片是在GaN基板上制造的。与通常的蓝宝石基板相比，更容易提高电
https://www.alighting.cn/news/20141120/110405.htm2014/11/20 19:21:03
