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阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增大芯
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230168.html2011/7/19 0:22:00
散长度,j表示以光子数计算的平均光强,α为p-n结材料的吸收系数,β是量子产额,即每吸收一个光子产生的电子一空穴对数。在led引脚式封装过程中,每个led芯片是被固定在引线支
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230114.html2011/7/18 23:52:00
中：a为芯片的pn结面积,q是电子电量,w是pn结的势垒区宽度,ln、lp 分别为电子、空穴的扩散长度,β是量子产额(即每吸收一个光子产生的电子-空穴对数), p是照射到pn
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230108.html2011/7/18 23:49:00
明灯泡约1;8颗,投影机内10多颗,不过闪光灯使用机会少,点亮时间不长,单颗的照明灯泡则有较宽裕的周遭散热空间,而投影机内虽无宽裕散热空间但却可装置散热风扇。图中为InGaN
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230092.html2011/7/18 23:40:00
术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00
光效率、色品坐标、相关色温、色纯度和主波长、显色指数等参数。矿灯用的ｌｅｄ,主要是光通量指标,一般矿灯要求达到３０lｍ以上,国内市场上的pｏｗｅｒled一部分能达到这个要求,量子光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229967.html2011/7/17 23:40:00
/ gan 双异质结,InGaN 活化簿层仅几十nm ,对静电的承受能力很小,极易被静电击穿,使器件失效。因此,在产业化生产中,静电的防范是否得当,直接影响到产品的成品率和经济效
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229964.html2011/7/17 23:38:00
f,f＝forward)求得。■裸晶层：「量子井、多量子井」提升「光转效率」虽然本文主要在谈论led封装对光通量的强化,但在此也不得不先说明更深层核心的裸晶部分,毕竟裸晶结构的改善也能使光通量大
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
等。不同的材料、不同的生长条件以及不同的外延层结构都可以改变发光的??色和亮度。其实,在几微米厚的外延层中,真正发光的也仅是其中的几百纳米(1微米＝1000纳米)厚的量子阱结构。反应
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度led外延材料的重要前提。algainp超高亮度led采用了mocvd的外延生长技术和多量子阱结构,波长625nm 附近其外延片的内量子效率可达到100%,已接近极限。目前mocv
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