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面对大陆led厂快速崛起，亿光董事长叶寅夫表示，led进入障碍虽然不高，要做到好却是不容易，大陆的磊晶厂要达到像晶电的规模，至少要五至六年的光景，大陆led封装厂也不至于对亿光造成
https://www.alighting.cn/news/20130123/88404.htm2013/1/23 15:29:19
采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54
备MOCVD进行补贴且力度也最大，“(led 上游芯片)从2009 年供不应求到了2010 年基本供求平衡，2011 年出现供过于求，到2012 年已经严重供过于求。”一位业内人
http://blog.alighting.cn/chhi008/archive/2013/1/23/308417.html2013/1/23 10:30:34
阐述了zno薄膜材料的结构特点、电学性质和光学特性,详细介绍了各种制备氧化锌薄膜的方法,包括磁控溅射法、化学气相沉积法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、激光脉冲沉积法、分子束外延法、原子
https://www.alighting.cn/2013/1/23 10:04:19
产，已达到规模效应，目前公司MOCVD设备达140余台，数量方面步入国际前列，然技术方面仍存较大差距，2011年公司通过海外研发投入及大批量人才引进，快速提升公司在MOCVD的关键技
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/16/307933.html2013/1/16 18:07:02
d上游设备MOCVD进行补贴且力度也最大，“(led上游芯片)从2009年供不应求到了2010年基本供求平衡，2011年出现供过于求，到2012年已经严重供过于求。”一位业内人
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/1/16/307932.html2013/1/16 18:03:19
2012年，中国led市场一片惨淡，除了消费者抱怨的价格过高，其实技术才是真正需要提上台面的事情。中国将近10000家的led企业，这一年你的技术突破在哪里?真的是你的技术突破吗?
https://www.alighting.cn/news/20130116/88963.htm2013/1/16 17:10:09
核心设备及部分原材料依赖进口、外延芯片缺乏核心专利、测试方法及设备支撑不足……一直以来，我国半导体照明产业与国际先进水平存在诸多差距。而作为led芯片生产核心设备，MOCVD(金
https://www.alighting.cn/news/20130116/112827.htm2013/1/16 16:08:13
光达光电设备科技(嘉兴)有限公司日前推出国内首台自带高亮度led工艺MOCVD产品，标志中国企业在led芯片生产核心设备国产化道路上取得新突破。
https://www.alighting.cn/news/2013116/n938548197.htm2013/1/16 14:09:09
https://www.alighting.cn/news/2013115/n802148154.htm2013/1/15 17:23:39
