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a工况温度：-20～+80℃（需更高温度请与工厂联系）精 度：±0.2～±1.5％fs量 程 比：1：10壳 体：碳钢(衬氟)；不锈钢供电方式：内置3.6vdc锂电池（可用两年）；外
http://blog.alighting.cn/shangtai815/archive/2009/11/19/19626.html2009/11/19 9:46:00
称压力：0.6～42mPa工况温度：-20～+300℃（需更高温度请与工厂联系）精 度：±0.2～±1.5％fs量 程 比：1：10壳 体：碳钢(衬氟)；不锈钢供电方式：内置3.
http://blog.alighting.cn/shangtai815/archive/2009/11/19/19627.html2009/11/19 9:47:00
与工厂联系）精 度：±0.2～±1.5％fs量 程 比：1：10壳 体：碳钢(衬氟)；不锈钢供电方式：内置3.6vdc锂电池（可用两年）；外供24vdc输出信号：4～20ma二线
http://blog.alighting.cn/shangtai815/archive/2009/11/19/19628.html2009/11/19 9:48:00
数是衡量电气设备效率高低的一个系数。功率因数低，说明电路用于交变磁场转换的无功功率大， 从而降低了设备的利用率，增加了线路供电损失。 电路中消耗的功率P，不仅取决于电压v与电流i的大
http://blog.alighting.cn/pjd1121/archive/2009/12/19/21847.html2009/12/19 15:15:00
1 backPlane 背板 2 band gaP voltage reference 带隙电压参考 3 benchtoP suPPly 工作台电源 4 block diagra
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/25/46123.html2010/5/25 23:39:00
安的正向电流，红黄光类led的vf值约为2伏，而gan基兰绿光类led 器件的vf值通常大于3伏。 反向漏电流ir是指给定的反向电压下流过器件的反向电流值， 这个值的大小十
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120381.html2010/12/13 14:28:00
用过程中,降低器件及系统热阻[ 3 ] ,从而降低芯片温度;优化led 外延层结构,减少电流泄漏,增加电子、空穴在结区的复合几率,是提高l ed 在大功率下发光效率的两个主要途径。
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120562.html2010/12/13 23:08:00
生在势垒区中的非平衡电子和空穴或产生在势垒区外但扩散进势垒区的非平衡电子和空穴,在内建静电场的作用下,各自向相反方向运动,离开势垒区,结果使P区电势升高,n区电势降低,从而在外电路中
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229930.html2011/7/17 23:22:00
直流过led外延层，极少横向流动的电流，可以改善平面结构的电流分佈问题，提高发光效率，也可以解决P极的遮光问题，提升led的发光面积。制造垂直结构led芯片技术主要有三种方法：一
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53
