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ge与tokki 合作,将封装技术与oled整合

学气相沉积)薄膜封装工艺将与tokki的设备相结合,实现更薄、更具成本效益的有机电子(包括oled平板显示屏)封

  https://www.alighting.cn/news/20070306/116551.htm2007/3/6 0:00:00

led封装厂冠辉预计14日登录兴柜

兴柜led类股将再添新兵,led封装厂冠辉(3619)预计于2008年3月14日登录兴柜。冠辉成立于2002年,目前资本额1.8亿元(新台币),主要从事led封装及应用模块生

  https://www.alighting.cn/news/20080313/118253.htm2008/3/13 0:00:00

改性硅树脂材料在led方面应用的研究动态

目前,对led封装有机硅材料相关产品的科研发工作开展较少,已有的国产有机硅封装材料存在一些缺陷:折射率低、耐热性差、耐紫外光辐射性不强、产品粘接力不够、透光率不高等这些缺陷直接影

  https://www.alighting.cn/resource/20120728/126487.htm2012/7/28 18:34:44

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

李世玮:晶圆级封装成未来趋势

略和发展新出路、led照明企业外销转内销以及未来led照明新技术等五大热点话题分别展开了主题演讲。 本次峰会最后,香港科技大学深圳研究生院常务副院长李世玮对led晶圆级封装技术趋势与企

  http://blog.alighting.cn/lishiwei/archive/2013/9/28/326710.html2013/9/28 14:21:30

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