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[转载]led照明显示新的技术突破

合一种昂贵的薄膜晶体管(tft)才能实现。被动式矩阵(pm )显示器是由更便宜的外部芯片所驱动,但一向受限于更小的屏幕尺寸。tma 是一种可以被包含驱动器芯片,把主动式矩阵功能带到被

  http://blog.alighting.cn/leddeng336/archive/2009/12/25/22282.html2009/12/25 16:54:00

led隧道灯技术的现状总结

项目针对芯片封装热阻过高、工作寿命短、出光效率低,模组互换性差等问题主要进行以下方面研究:   1、研究内容:   (1)陶瓷基共晶焊薄膜荧光粉大功率led封装技术。由于封

  https://www.alighting.cn/resource/2010819/V1139.htm2010/8/19 11:47:33

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长gan薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长gan薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长gan薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长gan薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长gan薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

垂直结构led技术面面观

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  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长gan薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50

[转载]从灯具技术要求看高功率led室内照明的发展

强。   图1:led 芯片结构的发展历程   薄膜芯片技术是超亮 led 芯片生产中的核心技术,能够减少各侧面的光输出损耗,并能借助底部的反射面使 97% 以上的光线从正

  http://blog.alighting.cn/szwdkgroup/archive/2011/4/1/146127.html2011/4/1 22:46:00

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