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金反光器件。还有汽车的电器连接器、电子、电-机械控制元件、座架、窗、面罩、水泵及油泵等。航空领域的应用，已通过联邦航空规范条款25?853及客机技术标准条款1000?001，用于飞
http://blog.alighting.cn/stqxcl/archive/2010/1/22/25855.html2010/1/22 21:57:00
今，最先进的硅器件，例如igbt4/cal4二极管，最高可以在175℃的芯片温度下运行。今后，碳化硅的使用将在连接层的充足热循环能力方面带来更大的挑战，因为碳化硅组件可以运行在高达30
http://blog.alighting.cn/leddeng336/archive/2010/1/21/25759.html2010/1/21 15:09:00
veeco推出turbodisc? k465i? ，一款用于生产高亮度led（hb led）的氮化镓(GaN) 金属有机化学气相沉淀(mocvd)设备，日前经过led产业
https://www.alighting.cn/news/20100120/119367.htm2010/1/20 0:00:00
1998年发白光的led开发成功。这种led是将GaN芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。
https://www.alighting.cn/news/2010119/V22621.htm2010/1/19 9:09:36
以提高芯片的发光效率和光束性能;讨论了反射腔的结构参数与芯片发光效率之间的关系。最后设计了封装的工艺流程。利用该封装结构可以降低芯片的封装尺寸,提高器件的发光效率和散热特性。欢迎下
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1065.htm2010/1/18 14:49:11
结合功率型GaN基蓝光led芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接后的功率
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1064.htm2010/1/18 14:26:55
者面临的挑战是理解那些数字的含义。 不幸的是,市场通常表现为多种途径的集合:一些制造商引用led器件的效率;一些厂商列出了白炽灯“等效值”;只有少数商
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1060.htm2010/1/18 13:47:32
与正装led相比,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13
采用x光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
标准一直是led行业关注的焦点。去年12月以来，行业标准陆续公布，并将在今年陆续实施。首先是工业和信息化部批准发布涵盖led材料、芯片、器件及相关检验测试方法等领域的9项行业标
https://www.alighting.cn/news/2010113/V22556.htm2010/1/13 10:53:18
