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止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本等主要指标来看,还没有其它方法能与之相比。国际上mocvd设备制造商主要有三家:德
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
期才逐渐成熟和完善起来。esaki 60年代提出超晶格的设想也直到80年代才得到大量应用。量子阱激光器就是最好的例证。mocvd制造技术在80年代末90年代初得到突飞猛进的发展,随
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
阻、壳体温度、结温等参数表示。辐射安全。目前,国际电工委员会iec将led产品等同于半导体激光器的要求进行辐射的安全测试和论证。因led是窄光束、高亮度的发光器件,考虑到其辐射可
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230097.html2011/7/18 23:44:00
: auto; "iec62031普通照明用led模组的安全要求iec62384:2006led模组用交流或直流供电的电子控制装置的性能要求gb7247.1-2001激光产品的安全第1部
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230110.html2011/7/18 23:50:00
何满足应用的要求,并对其在安全、激光安全、性能和能效方面的表现进行科学的评价,是目前led 灯具产品面临的一大课题。要解决这一问题,应从了解现有灯具标准体系开始,明确制定灯具标准的基
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230118.html2011/7/18 23:54:00
源都是多色光,激光 。 不同的光源体发出的光具有不同的光谱(即电磁波谱)特性,如钠灯光谱在长波区域分布较多,而荧光灯光波在短波区域分布较多,而led光源的光谱分布主要在人眼能量反
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230130.html2011/7/19 0:00:00
统的指标要求与选定的光纤,选择820nm波长可使hcs光纤损耗低至6db/km,同时色散也达到最小。·光源的选择:在820m波长下,led是可以选用的最佳光源,与半导体激光器相
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230331.html2011/7/20 0:11:00
一章 外延在光电产业角色 近十几年来为了开发蓝色高亮度发光二极管,世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管led及激光二级管ld的应用无不说明了ⅲ
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230341.html2011/7/20 0:17:00