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led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μM2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nM)22 Mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nM) 18.8 Mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/MM2。表

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262677.html2012/1/29 0:37:20

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/MM2。表

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262676.html2012/1/29 0:37:17

光纤led驱动电路的设计

如,以太网和fddi标准指定采用多模62.5/125μM石英玻璃光纤。这些细纤芯的光纤需要高精度连接器以减少耦合损耗,对于工业应用,需要低成本的光缆和连接器。因此,1MM的po

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262675.html2012/1/29 0:37:14

基于tlc5902的led图像显示屏的驱动控制

d的驱动; ●电源电压为4.5v~5.5v; ●最大数据传输速度为15Mhz; ●最大灰度极时钟频率为4 Mhz; ●环境温度范围为-20℃~85℃; ●采用htqfp100脚封

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262666.html2012/1/29 0:36:47

工业级高信赖性led路灯系统评量指针

至本身导热片(tjs)温升为δt=6~15℃之间,另外led光效率与工作温度成反比性能特性,每升高10℃导致光衰5~8%并且寿命减半的严重后果,与一般宣传led可工作于100℃寿命可

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262662.html2012/1/29 0:36:34

led在隧道照明中的应用探讨

前led隧道照明产品主要的工艺路径三.led在重庆××高速公路隧道中的应用案例分析隧道在进行led节能改造以前的照明状况隧道总长1.8kM,单向3车道隧道宽度15M,其中车行道数

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262656.html2012/1/29 0:36:04

全彩显示屏专用led的选择和使用

装工艺水平的高低决定了led的衰减速度。一般来说,1000小时、20毫安常温点亮试验后,红色led的衰减应小于10%,蓝、绿色led的衰减应小于15%。红、绿、蓝衰减的一致性对全

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262650.html2012/1/29 0:35:41

高功率led散热基板发展趋势

由于led技术的进步,led应用亦日渐多元化,由早期的电源指示灯,进展至具有省电、寿命长、可视度高等优点之led照明产品。然而由于高功率led输入功率仅有15至20%转换成光,其

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262645.html2012/1/29 0:35:23

未来新星 浅谈oled显示技术

破了 4.08 亿美元,同比增长了 63%。 isuppli 预测,全球 oled 显示屏面板市场 2005 年的销售收入将达到 6.15 亿美元,比 2004 年增长 50.7

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