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年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，led制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展，其发光效率提高了近100
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262595.html2012/1/29 0:32:32
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271697.html2012/4/10 23:22:48
d了。 外延片也是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是p型衬底硅（有的加点埋层）；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221788.html2011/6/18 22:58:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221803.html2011/6/18 23:09:00
80mil 紫光芯片提供360-420nm的波长范围，并能在一般陶瓷组件里，在3安培电流时提供使用者4,000毫瓦的辐射能量。使用此芯片于8-10瓦的单晶单光点的应用时，客户可
https://www.alighting.cn/pingce/20140826/121485.htm2014/8/26 9:57:56
c范围内，会输出定电流20~20ma供给白光led电能，本文让每个驱动ic的定电流皆通过直流固态电驿负载端，而8051单晶片控制dc ssr信号端来完成pdm遥控调光灯
https://www.alighting.cn/resource/2011/8/15/111056_38.htm2011/8/15 11:10:56
目前超高亮度白/蓝光led的品质取决于氮化镓磊晶(gan)的材料品质，而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关，蓝宝石(单晶al2o3 )c面与ⅲ-ⅴ和ⅱ-ⅵ
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/1/153840_35.htm2011/7/1 15:38:40
赤崎和天野研究室于1992年在未使用ingan单晶的情况下，制作出了比以往的pn结型更亮的蓝色led。是在p型algan和n型algan之间夹住掺杂了zn和si的gan层双异质结
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zn
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
面有着巨大的应用潜力。然而,sic单晶价格昂贵,这就促使人们继续探讨在si衬底上异质外延sic薄
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
