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向出光利用率。 1999年hp公司开发了倒金字塔形alingap芯片并达到商用的目标，tip结构减少了光在晶体内传输距离、减少了内反射和吸收（有源区吸收和自由截流子吸收等）引起的
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
国和中国&helli等亚洲地区,颇受全球光电大厂关注。光的重要性与其致胜之道随著这几年磊晶技术迅速发展之下,经由选择高纯度的单晶原料,再由适当温度控制及精确地掌握各组成元
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262754.html2012/1/29 0:43:03
蚀 - n型电极（镀膜、退火、刻蚀） - p型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片 - 芯片分检、分级 具体介绍如下： 固定：将单晶硅棒固定在加工台上。 切片：将单晶硅棒切成具
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262722.html2012/1/29 0:39:56
属线熔化、发热、高功率、闩锁效应其可见性不强损坏位置不易发现,短的eos脉冲损坏看起来像esd损坏通常导致晶体管级别的损坏。四、静电防护1.设定静电区域说明:在生产现场设定静电敏
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262715.html2012/1/29 0:39:30
光管。而目前最新的工艺是用混合铝（al）、钙（ca）、铟（in）和氮（n）四种元素的algainn 的四元素材料制造的四元素led,可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262708.html2012/1/29 0:39:07
d,hfbr－24xz内部集成了包括pin光电检测器、直流放大器及集电极开路输出schottky型晶体管的一个ic芯片,其输出可直接与流行的ttl及cmos集成电路相连。4一种实用的光
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262690.html2012/1/29 0:38:07
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262675.html2012/1/29 0:37:14
前最新的製程是用混合铝(al)、钙(ca) 、銦(in)和氮(n)四种元素的algainn 的四元素材料製造的四元素led，可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。发光强度：发
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262668.html2012/1/29 0:36:52
粉 四、蓝led+znse单结晶基板 目前手机、数字相机、pda等背光源所使用之白光led采用蓝光单晶粒加yag萤光而成。随着手机闪光灯、大中尺寸（nb、lcd-tv等）显示屏光
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262639.html2012/1/29 0:35:04
点为：● 具有８通道功率ｄｍｏｓ晶体管输出，每个通道可连续输出１５０ｍａ的电流；● 各输出回路导通电阻低至５ω；● 每个输出通道典型限定能力为５００ｍａ；● 输出端为ｏｃ门形式，外
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262636.html2012/1/29 0:34:51
