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中国led市场规模2006年达到146亿人民币，1997年至2006年年平均成长率为29%，预期2010年将成长至320亿人民币。
https://www.alighting.cn/news/20071129/106652.htm2007/11/29 0:00:00
韩国首尔半导体(seoul semiconductor)开发出了在1mm见方蓝色led芯片上组合荧光材料，实现了光通量为500lm左右的白色。该开发品的特点是比以前的产品更容易提高
https://www.alighting.cn/pingce/20130123/121934.htm2013/1/23 11:10:35
ingan/gan 基led 的红光部分发光效率较低，导致相关白光led 发光效率远低于蓝光加荧光粉的白光led 的效率.最近，mirhosseini等人通过模拟结果显示利用双蓝光
https://www.alighting.cn/resource/20150119/123736.htm2015/1/19 13:36:40
本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito 表面粗化,有效地提高了led芯片的输出光功率。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 10:18:00
静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34
中村修二此行分享了他在研发蓝光led与后续在led方面的心路历程与成果，以及提供他对未来led产业、ld产业发展的分析洞见。
https://www.alighting.cn/news/20150410/84296.htm2015/4/10 9:36:19
采用β-ga2o3制作基板时，可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法，这也是其特点之一，
https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04
npola”使用来自威宝母公司三菱化学株式会社的专用氮化镓(GaN)衬底用于氮化镓的外延生长，从而取代蓝宝石或碳化硅衬底。首尔半导体的 专利“npola”结构最大限度地减少活跃层
https://www.alighting.cn/pingce/20130117/122147.htm2013/1/17 10:03:20
晶元光电氮化镓(GaN)布局再下一城。继年初取得德国allos semiconductors矽基氮化镓(GaN-on-si)的技术授权后，晶元光电即将于近期投产GaN-on-s
https://www.alighting.cn/pingce/20151214/135203.htm2015/12/14 9:26:23
GaN基板主要有两大效果。一是(3)通过为led芯片加载大电流密度，大幅提高亮度。二是(4)确保高显色指数，实现眩光少、保护眼睛的光。
https://www.alighting.cn/news/20140701/97428.htm2014/7/1 9:44:39
