站内搜索
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
借用原子吸收光谱仪的光学系统，在火焰燃烧头的上方，放置一个简单的比色池装置，以照明用高亮度发光二极管(led)代替原子吸收的空心阴极灯，设计了一个分光光度计。以经典的分光光度实验
https://www.alighting.cn/resource/2012/3/30/163945_17.htm2012/3/30 16:39:45
小女人买台灯，通常只会考虑一种标准：够不够漂亮？够不够精致？
https://www.alighting.cn/resource/20071114/V9746.htm2007/11/14 10:02:48
介绍了一种基于fpga 的驱动方案，为所研制的基于微晶硅tft 基板的17.8cm(7in)有源矩阵有机发光显示器(amoled)提供驱动。
https://www.alighting.cn/resource/20140718/124433.htm2014/7/18 10:57:47
半导体发光二极管作为新型的固体照明器件，寿命长达5~10万h，它不仅耗电少、亮度高，而且体积小、抗振动。各种白色、红色、蓝色、绿色、黄色的半导体led发光二极管产品如雨后春笋纷
https://www.alighting.cn/resource/2013/8/26/115010_73.htm2013/8/26 11:50:10
出光率是影响led发光效率的重要因素之一，优化led出光率可以提高led的器件发光效率。文章利用tracepro软件模拟分析了封装结构对led出光率的影响，分析结果表明：封装腔
https://www.alighting.cn/resource/20140120/124890.htm2014/1/20 14:01:22
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
在农村供电系统，多数情况下照明与动力共用一条线路。这样的方法，虽然给配电工作带来了方便，节省了线路投资，但却存在以下应注意的问题。
https://www.alighting.cn/resource/20071018/V9692.htm2007/10/18 9:28:45
附件是要素大市场地下室强电照明平面图纸，欢迎下载参考!
https://www.alighting.cn/resource/2013/12/9/162238_53.htm2013/12/9 16:22:38
量为145lm，发光效率为134lm/w。与输入电能相对应的光输出的效率（wpe:wall plug efficiency）为39.5
https://www.alighting.cn/resource/20071001/128535.htm2007/10/1 0:00:00
