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d照明的需要正疾速晋升，给有关的稀有金属资料需要带来无穷机缘。led的中心资料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光资料。当前，根据宽禁带半导体资料氮化
http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/5/322838.html2013/8/5 14:38:28
晶电在先进技术选择上，未进军oled，而是发展矽基板led磊晶。晶电指出，蓝宝石基板发展到6吋以上，基板成本垫高倍数，考量led性价比，6吋以上的矽基板更具成本优势，因此晶电已展
https://www.alighting.cn/news/20120530/113584.htm2012/5/30 9:45:13
一种用movcd生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用mocvd技术
https://www.alighting.cn/news/2009111/V21470.htm2009/11/1 12:55:15
相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包含散射机制的非直接的俄歇效应非常显着。这一发现使得在以往理论研究中，用直接俄歇过程预测led光衰和实际测量结果不符的现象得以解释。在氮化物
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222259.html2011/6/20 22:29:00
日宣布，在年初两家公司达成合作协定短短几个月后，两家公司共同研发出了行业顶级8英寸矽基氮化镓led芯片。该芯片仅1.1毫米，在电压低于3.1v电流350ma时发射功率达614m
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/7/2/280589.html2012/7/2 11:23:57
将光发射器与硅电子学集成起来，将加速和扩大氮化镓在光电子和微电子方面的应用。 一、用硅作gan led衬底的优缺点 用硅作gan发光二极管（led）衬底的优点主要在
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
近日，广东深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，成功开发了国内首台专用于大规模高质量zno半导体透明导电薄膜材料生长的量产型mocvd设备。
https://www.alighting.cn/pingce/20130114/121974.htm2013/1/14 9:54:10
tom dekker 表示：“与同频率范围的 gaas 电晶体相比，科锐0.25微米gan hemt裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效率的综
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122143.htm2012/7/11 18:04:27
本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito 表面粗化,有效地提高了led芯片的输出光功率。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 10:18:00
东京都市大学(原武蔵工业大学)宣布其制作出了采用锗(ge)量子点的硅发光元件，并在室温下确认了基于电流激励的发光现象。由于可在cmos工艺中使用具有兼容性的制造工艺、还有望实现激光
https://www.alighting.cn/resource/20100526/128389.htm2010/5/26 0:00:00
