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采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作gan基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种x光衍射方法对
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
继2010年上游外延检测设备大量出货，台厂旺硅（6223）进一步抢进下游LED封装用挑捡设备市场。受惠于LED上游外延厂大举扩产，旺硅探针器及分拣机等LED上游外延用检测设备出货
https://www.alighting.cn/news/20100720/105392.htm2010/7/20 0:00:00
if you can't stand the heat， get out of the kitchen，烫哥觉得这句话非常适合用在描述当今LED产业， 而你的体质怕不怕热，固
https://www.alighting.cn/news/20161229/147220.htm2016/12/29 11:20:14
6月10日，在广州举行的2013年新世纪LED峰会外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产
https://www.alighting.cn/news/2013618/n757852788.htm2013/6/18 9:12:28
晶能光电(江西)有限公司董事长江风益： 晶能光电先后推出了2类4种规格的硅衬底LED芯片，年产能达到30亿粒(小芯片)。 “在氮化镓基半导体发光材料领域，晶能光电创造性发
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00
利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的gan蓝光LED外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构gan蓝光LED.与外延材料未转
https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12
本月底，重庆最大的集生产和研发为一体的LED基地重庆超硅LED芯片项目将正式在两江新区水土高新产业园竣工投产。该项目于2010年10月正式签约，2011年4月正式开工建设。投产
https://www.alighting.cn/news/2013116/n070848199.htm2013/1/16 14:15:08
LED和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。采用的基片根据LED的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色LED和白色LED等gan类半导体材料的LED芯片，
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08
自2005年开始提供LED驱动器以来，power integrations公司(pi)在全球离线式LED照明领域已拥有20%的市场占有率，其产品系列具有多种特性，包括：91%~9
https://www.alighting.cn/2013/1/7 13:49:57
