检索首页
阿拉丁已为您找到约 2102条相关结果 (用时 0.2190179 秒)

led电源调光方案

本文档介绍的是一款高功率因素、可控调光的led驱动器,它可以再90vac至265vac的输入电压范围内为led灯串提供额定电压28v、额定电流0.5a的驱动。该led驱动器采

  https://www.alighting.cn/resource/2013/9/4/144227_50.htm2013/9/4 14:42:27

晶和照明:顺势 乘“中国芯”而上

晶和照明,这家企业因2012成功被中国节能环保集团公司纳入麾下,挺近了企业发展的一大步。加之2013年晶和照明上受到兄弟公司晶能光电全衬底芯片价格和技术的特殊支持,晶和照明较其

  https://www.alighting.cn/news/201394/n717855792.htm2013/9/4 11:12:44

德国azzurro推出1-bin波长的led晶圆

功表明azzurro的技术有能力做出‘1 bin’基氮化镓led晶

  https://www.alighting.cn/pingce/20130904/121716.htm2013/9/4 10:21:19

牺牲ni退火对衬底gan基发光二极管p型接触影响

本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对衬底gan基led薄膜p型欧姆接触的影响,在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。

  https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34

走进晶和照明之顺势:乘“中国芯”而上

晶和照明,这家企业因2012成功被中国节能环保集团公司纳入麾下,挺近了企业发展的一大步。加之2013年晶和照明上受到兄弟公司晶能光电全衬底芯片价格和技术的特殊支持,晶和照明较其

  https://www.alighting.cn/news/20130903/112029.htm2013/9/3 17:51:16

舞台灯光照明设计图

附件为舞台灯光照明设计图,包括灯光箱线路分配图、平面分布图等。欢迎下载参考!

  https://www.alighting.cn/resource/2013/8/28/155444_30.htm2013/8/28 15:54:44

牺牲ni退火对衬底gan基发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

cob封装中芯片在基板不同位置的残余应力

利用压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近

  https://www.alighting.cn/resource/20130826/125380.htm2013/8/26 14:04:58

基gan led及光萃取技术实现高性价比照明

传统的氮化镓(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化(sic)为衬底,因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的晶圆(6

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42

新型通孔衬底gan基led结构的电流扩展分析

为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压,本文提出了一种新型通孔结构发光二级管,并提出一种电路有限元模型,分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。

  https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10

首页 上一页 41 42 43 44 45 46 47 48 下一页