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、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11
中，往往是制作特殊形状的芯片来提高侧向出光的利用效率，也可以在发光区底部(正面出光)或者外延层材料(背面出光)进行特殊的几何规格设计，并在适当的区域涂覆高防反射层薄膜，来提高芯片的侧
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
色。 最近，欧司朗光电半导体开发出一种制造led的新方法，一种称为“薄膜”的工艺。在“薄膜”工艺中，led晶圆采用与传统alingap和ingan晶圆同样的工艺制造，一个不同点就
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261571.html2012/1/8 21:51:11
前所见到的还是将荧光粉浆直接涂敷在芯片上面，同一块模组的荧光粉还是较一致，但对大批量生产就可能会出现不同的模组用眼睛看出色差来，较好的办法是使用led荧光粉薄膜或膜片，薄膜和膜片可
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261564.html2012/1/8 21:50:56
m波长时为0.2db/m,而200μm hcs光纤在650mm波长典型损耗值仅为8db/km,在820nm波长时更少。hcs光纤的核心是石英玻璃,包层是专利的高强度聚合物,不仅增
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261517.html2012/1/8 21:47:31
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261502.html2012/1/8 21:46:50
战来自于热处理议题。这是因为在高热下，晶格会产生振动，进而造成结构上的改变（如回馈回路变成正向的），这将降低发 光度，甚至令led无法使用，也会对交错连结的封入聚合
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261488.html2012/1/8 21:45:48
体材料大致可分为小分子器件和高分子器件（ pled ）两种。小分子 oled 技术发展的较早，因而技术也较为成熟。高分子器件（ pled ）的发展始于 1990 年，由于聚合物可以采
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261472.html2012/1/8 21:40:10
断改进，如利用不同的电极设计控制电流密度，利用ito薄膜技术令通过led的电流能平均分布等，使led芯片在结构上都尽可能产生最多的光子。再运用各种不同方法去抽出led发出的每一粒光
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261467.html2012/1/8 21:39:14
有的应用于笔记本或桌面系统的lcd都使用薄膜晶体管（tft）激活液晶层中的单元格。tft lcd技术能够显示更加清晰，明亮的图象。早期的lcd由于是非主动发光器件，速度低，效率差，对比
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261429.html2012/1/8 21:28:20
