站内搜索
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
用旋涂、喷墨印刷等方法制备薄膜，从而有可能大大地降低器件生产成本，但目前该技术远未成熟。 由于 oled 具有高亮度、宽视角、响应速度快、易于实现高分辨率全彩色显示、低电压直
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230509.html2011/7/20 23:24:00
断改进，如利用不同的电极设计控制电流密度，利用ito薄膜技术令通过led的电流能平均分布等，使led芯片在结构上都尽可能产生最多的光子。再运用各种不同方法去抽出led发出的每一粒光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230474.html2011/7/20 23:07:00
利乐包的发明带给了我们方便的同时，也给我们带来很多不便。利乐包不是一种环保的设计，复合的材料中有塑料薄膜、铝箔、卡纸，不利于回收，制作工艺相对复杂。马来西亚设计师ed chew奇
https://www.alighting.cn/case/2011/7/20/143233_30.htm2011/7/20 14:32:33
能，广泛用于塑料，橡胶，陶瓷，涂料，聚酰 亚胺薄膜，聚酯薄膜，聚酯纤维布等绝缘产品，可以提高涂层的致密度和介电击穿强度， 绝缘性能可以提高3倍以上 4， 导热性：添加了纳米氧
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2011/7/20/230394.html2011/7/20 11:06:00
长，但对于外延层较厚的器件，如leds和lds，生长时间较长，不能满足大规模生产的要求，而且当采用等离子体辅助方式时，要采取措施避免高能离子对于薄膜的损伤。2.3 hvpe人们最早就
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
题，但是与集成电路中互连线金属电迁移有所不同，主要是纵向迁移，即p型欧姆接触金属沿缺陷管道电迁移到达结区造成短路[7－11]，导致器件失效。由于没有匹配的衬底材料，外延生长的gan薄
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
免ｍｏ ｇａｓ金属有机蒸发源与ｎｈ３在预热区就先进行反应３进料流速与薄膜长成厚度均。一般来说ｇａｎ的成长须要很高的温度来打断ｎｈ３之ｎ－ｈ的键解，另外一方面由动力学仿真也得
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230341.html2011/7/20 0:17:00
低esr的聚丙烯薄膜电容。图二：输入电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230321.html2011/7/20 0:07:00
日本一个研究团队14日在英国《自然》杂志网络版上报告说，他们开发出一种制作有机半导体单晶薄膜的新技术。新技术由日本产业技术综合研究所等机构的科研人员联合开发。据称，该技术能使平
https://www.alighting.cn/news/20110718/100410.htm2011/7/18 11:05:43
