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led产生于上世纪五六十年代，而到了80年代初，用温差溶液原理首次在液相外延生长领域实现了gaalasled的批量生产。由于gaalas外延层结晶质量的改善,led器件的效率得
https://www.alighting.cn/resource/20091228/V22368.htm2009/12/28 15:27:58
led封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而led封
https://www.alighting.cn/resource/20060222/128922.htm2006/2/22 0:00:00
https://www.alighting.cn/news/20091228/V22368.htm2009/12/28 15:27:58
根据我国海关数据，2013年第一季度封装器件出口金额近6.4亿美元，较去年同期增长16.5%，出口数量则达到132.74亿只，同比增长达18%，平均价格小幅下降;器件进口则出现价
https://www.alighting.cn/news/20130802/98512.htm2013/8/2 11:56:01
据日本经济新闻报导，三菱化学与蓝光led之父中村修二(shuji nakamura)已成功透过液相沉积法生产出氮化镓(GaN)晶体。报导指出，从上述晶体切割出的基板其制造成本仅
https://www.alighting.cn/pingce/20101208/123145.htm2010/12/8 13:40:04
汉的新厂房里，用于生产高亮（hb）GaN le
https://www.alighting.cn/news/2007726/V2541.htm2007/7/26 14:22:10
5月1日，加州大学圣巴巴拉分校（ucsb）非极性GaN材料研究小组（由中村修二[shuji nakamura]和steven denbaars 领导）制造的蓝紫光inGaN le
https://www.alighting.cn/news/2007511/V2418.htm2007/5/11 11:09:40
2007年5月1日，加州大学圣巴巴拉分校（ucsb）非极性GaN材料研究小组（由中村修二[shuji nakamura]和steven denbaars 领导）制造的蓝紫
https://www.alighting.cn/resource/20070508/128492.htm2007/5/8 0:00:00
美国加州大学圣芭芭拉分校（ucsb）利用氨热法试制出了GaN结晶，并在2007年9月16～21日于美国拉斯维加斯举行的“icns”上进行了发布（演讲序号:mp112）。氨热法应
https://www.alighting.cn/resource/20071002/128536.htm2007/10/2 0:00:00
围绕GaN类蓝色led的相关专利，大型led厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼，为了与之对抗，丰田合成也起诉了日
https://www.alighting.cn/news/20100820/103438.htm2010/8/20 14:00:24
