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icp刻蚀gap研究及对led性能的影响

深入研究了gap材料在高密度感应耦合等离子刻蚀系统中刻蚀选择比和刻蚀速率随刻蚀系统的源功率、射频功率、腔室压强的变化规律,即通过改变其中一个参数而保持其它参数不变来得出变化规

  https://www.alighting.cn/resource/20130401/125782.htm2013/4/1 11:25:24

GaN大功率白光led的高温老化特性

对大功率GaN白光led在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%~33%。样品的i-v特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原

  https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17

低功率led通用照明设计挑战暨安森美半导高能效方案

本文以安森美半导的ncp1014单片开关稳压器及ncl30000功率因数校正triac可调光led驱动器为例,重点探讨如何应对低功率住宅及商业led照明应用针对功率因数要求等方

  https://www.alighting.cn/resource/20130329/125788.htm2013/3/29 11:14:10

led中能量的转换问题

夏俊峰发表的一篇博文《led中能量的转换问题》,分享给大家,欢迎下载附件学习。

  https://www.alighting.cn/2013/3/28 11:34:40

稀土发光材料在固白光led照明中的应用

白光发光二极管将成为21世纪新一代的节能光源。要实现白光发射的重要途径之一是利用稀土发光材料的荧光转换技术,把inGaN半导管芯发射的460 nm蓝光或400 nm近紫外

  https://www.alighting.cn/resource/20130327/125807.htm2013/3/27 14:05:59

提高GaNled的光提取效率之激光剥离技术的研究

本论文主要围绕提高g8nled的光提取效率之激光剥离技术以及于激光剥离技术的垂直型GaNl即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶键合技术,成功地将GaN薄膜从蓝宝

  https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17

实现led照明的自由曲面透镜设计

量分布,并预先定义透镜球面的结构参量,可得到一组一阶偏微分方程,数值差分求解直接求得透镜的自由曲面.光源采用发光面积1×1mm2朗伯发光的led,视角180°,由自由曲面透镜得

  https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:32:59

白光电致发光二极管用发光材料研究进展

白光电致发光二极管(led)是固照明的重要光源。荧光转换是获取白光led的主要途径之一。当前,转换用荧光的研究在发光材料领域中最活跃。本文对近年来白光led用发光材料新

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:15:08

硅衬底GaNled外延生长的研究

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长GaN薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的GaN薄膜,并在此础上外延生长出了GaN发光二极管(led)外

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

白光led用稀土红色荧光粉的研究进展

白光led具有低压、低功耗、高可靠性和长寿命等一系列优点,是一种符合环保和节能的绿色照明光源。现阶段制造高显色指数、低色温,大功率白光led是白光led发展的总体趋势。而红色荧光粉

  https://www.alighting.cn/resource/20130325/125824.htm2013/3/25 11:34:41

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