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为了改善led芯片本身的散热，其最主要的改进就是采用导热更好的衬底材料。早期的led只是采用Si硅作为衬底。后来就改为蓝宝石作为衬底。但是蓝宝石衬底的导热性能不是太好，(在100
https://www.alighting.cn/resource/20140526/124550.htm2014/5/26 11:11:04
将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(Sio2)和单晶Si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量5
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
利用光谱椭偏仪,系统研究了用脉冲激光沉积(pld)方法在Si(100)基片上,温度分别为400℃,500℃,600℃和700℃制备的zno薄膜的光学特性。利用三层cauchy散
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于Si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出gan薄膜.x射线衍射(xr
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
m 光通量是每单位时间到达、离开或通过曲面的光能数量。流明 (lm) 是国际单位体系 (Si) 和美国单位体系 (as) 的光通量单位。如果您想将光作为穿越空间的粒子（光子），那
http://blog.alighting.cn/biqeeen/archive/2011/4/14/165440.html2011/4/14 22:06:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和Sic,Si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
5kw三相应用的理想选择。基于科锐c2m? Sic mosfet和z-rec? Sic肖特基二极管技术，该六单元模块使得设计者能够突破工业用电力转换系统中原有Si基逆变器所带来的功
https://www.alighting.cn/news/20141028/110520.htm2014/10/28 9:27:52
电设备有限公司重拳出击，在本届高交会上携5项专利技术，推出两大技术创新产品：宜极邦公司“全自动荧光粉喷胶机”系列speed3000Si多功能硅胶点胶机，以及201无泡搅拌
https://www.alighting.cn/news/20081013/118134.htm2008/10/13 0:00:00
足蓝宝石衬底图形化刻蚀、Si衬底刻蚀以及gan基外延层刻蚀等led领域所有刻蚀应
https://www.alighting.cn/news/20100608/119238.htm2010/6/8 0:00:00
