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夫（lossewo。w。）在1923年就发现了半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体的p－n结电致发光原理制成的发光二极管只是到了60年代后期才得以迅速发展。近年来，由
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258503.html2011/12/19 10:56:52
们就必须选择更合适的封装结构，所以改变现有的封装结构，实现合理的封装成本，将是led照明被市场接受的最有效、最直接的途经。当然，led芯片随工艺、出货量增加、采用更大尺寸晶圆制作工
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258502.html2011/12/19 10:56:50
色。 最近，欧司朗光电半导体开发出一种制造led的新方法，一种称为“薄膜”的工艺。在“薄膜”工艺中，led晶圆采用与传统alingap和ingan晶圆同样的工艺制造，一个不同点就
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258494.html2011/12/19 10:56:26
是将精密机械氧造概念引入半导体氧程中,以自行设计的设备,结合反射镜及低温热压式晶圆黏贴技术,成功氧作出高反射率且散热良 好的新型超高亮度led。在 制程成本及复杂方面,还可以比美、
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258485.html2011/12/19 10:55:56
、采用更大尺寸晶圆制作工艺，也在不断的降低成本，近年来每年在以20%速度降低中，如果能把目前的封装成本从占总成本的50%降低到20%~30%，led照明的应用会上到一个新数量级市场规
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258472.html2011/12/19 10:55:30
响，此工艺荧光粉的涂布量均匀性的控制有难度，导致了白光颜色的不均匀。 2.片光电参数配合：半导体工艺的特点，决定同种材料同一晶圆芯片之间都可能存在光学参数(如波长、光强)和电学(
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258469.html2011/12/19 10:54:58
们没有掌握核心技术，尽管我们led应用产品制造能力在全球占到50%,份额占到50%,但利润确实最低的一环。 led芯片 随工艺、数量增长采用更大尺寸晶圆片制作工艺，会不断的降低成
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258438.html2011/12/19 10:47:12
科锐公司(nasdaq: cree)将继续引领高效率电子电力模组变革，宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅mosfet功率器件。科锐碳化硅zf
https://www.alighting.cn/pingce/20111219/122738.htm2011/12/19 10:45:36
s)，genelite,欧司朗(osram)，gelcore,首尔半导体等，普瑞，韩国安萤(epivalley)等。1、cree 着名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55
上，我们没有掌握核心技术，尽管我们led应用产品制造能力在全球占到50%,份额占到50%,但利润确实最低的一环。 led芯片随工艺、数量增长采用更大尺寸晶圆片制作工艺，会不断的降低成
http://blog.alighting.cn/116344/archive/2011/12/14/257850.html2011/12/14 10:42:34
