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氮化镓半导体照明led及其应用产业化

文章分析了照明用半导体led的外延、芯片及封装等相关技术,介绍了在光谱特性、散热性能、出光技术等方面的探索,提出了一些具体的解决方案,并对led的产业化生产进行了讨论。

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V12305.htm2007/2/8 10:33:29

德州东风路堤岭桥26组合灯“翻新”

4月1日,市城管执法局市政设施管理处维修人员对东风路堤岭桥上的组合灯进行拆除,全部进行改造。此次路灯改造主要对灯具托盘全部更换,焊接新托盘更换新球罩,对缺失的灯臂弯管重新制作焊接加

  https://www.alighting.cn/news/201342/n792250292.htm2013/4/2 13:56:10

氮化镓在大功率led的研发及产业化

6月10日,在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报告

  https://www.alighting.cn/news/2013617/n057752776.htm2013/6/17 15:39:40

热沉大功率led封装阵列散热分析

本文对基于硅热沉的大功率led 封装阵列进行了热模拟,同时结合传热学基本原理分析计算了各部分的热阻,然后,对实际工艺制备出的封装器件的结温进行了测量。结果表明,理论计算值与仿真结果

  https://www.alighting.cn/2015/2/5 11:08:11

热沉大功率led封装阵列散热分析

结果表明,理论计算值与热仿真结果本一致,测量值也能很好地与理论计算值相吻合。

  https://www.alighting.cn/2015/1/5 12:12:11

大功率gan白光led荧光层失效机理研究

芯片和封装材料膨胀系数不匹配造成的界面应力、长时间蓝光照射引起的光降解和光热耦合作用造成了器件灾变性失效。

  https://www.alighting.cn/resource/20141219/123897.htm2014/12/19 9:41:29

人体模式静电对gan 蓝光led载流子运动及其可靠性的影响

静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。

  https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34

mocvd外延al_2o_3algan/gan超晶格的结构和光学特性

通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有gan缓冲层的蓝宝石(al2o3

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17

si衬底ganled外延薄膜转移至金属板的应力变化

采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄膜应

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12

氮化物led光效下降 非直接俄歇效应是主因

led光衰(led droop)是由俄歇复合(auger recombination)引起的。俄歇复合是一种在半导体中发生的,三个带电粒子互相反应但不放出光子的现象。研究者还发现包

  https://www.alighting.cn/news/201153/n979331737.htm2011/5/3 9:00:25

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