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2048像素led平板显示器件的封装

国在光电显示器件的研制与生产方面与国外相比有较大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度le

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261518.html2012/1/8 21:47:33

光纤led驱动电路的设计

如,以太网和fddi标准指定采用多模62.5/125μM石英玻璃光纤。这些细纤芯的光纤需要高精度连接器以减少耦合损耗,对于工业应用,需要低成本的光缆和连接器。因此,1MM的po

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261517.html2012/1/8 21:47:31

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/MM2。

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261514.html2012/1/8 21:47:22

多种串行接口技术在led大屏幕显示系统中的应用

e(void){int i;poMl=0x00;poM2=0x41;p1M1=0x00;p1M2=0x80;elk=0;for(=1;i=8;i++){clk=

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261513.html2012/1/8 21:47:19

led芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μM2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nM)22 Mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nM) 18.8 Mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/MM2。表

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261504.html2012/1/8 21:46:54

2048像素led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度led平板显示器,像素密度达到5-6个/MM2。表

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261503.html2012/1/8 21:46:52

光纤led驱动电路的设计

如,以太网和fddi标准指定采用多模62.5/125μM石英玻璃光纤。这些细纤芯的光纤需要高精度连接器以减少耦合损耗,对于工业应用,需要低成本的光缆和连接器。因此,1MM的po

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261502.html2012/1/8 21:46:50

基于tlc5902的led图像显示屏的驱动控制

d的驱动; ●电源电压为4.5v~5.5v; ●最大数据传输速度为15Mhz; ●最大灰度极时钟频率为4 Mhz; ●环境温度范围为-20℃~85℃; ●采用htqfp100脚封

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261493.html2012/1/8 21:45:59

工业级高信赖性led路灯系统评量指针

至本身导热片(tjs)温升为δt=6~15℃之间,另外led光效率与工作温度成反比性能特性,每升高10℃导致光衰5~8%并且寿命减半的严重后果,与一般宣传led可工作于100℃寿命可

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261489.html2012/1/8 21:45:52

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