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层。放电发生在介质之间或介质与电极之间’，使其中的气体激发电离。按照放电器件的具体结构，介质阻挡放电又可分为体积放电(vo lumnd ischarge)和表面放
http://blog.alighting.cn/1011/archive/2007/11/26/8132.html2007/11/26 19:28:00
料制备（衬底材料、外延材料）、器件制备（芯片、封装）、应用产品开发几个阶段，是半导体电子技术在照明领域新的应用，因此需要半导体行业与照明行业紧密合作，才能使研发进程加快。半导体领
http://blog.alighting.cn/1322/archive/2007/11/26/8135.html2007/11/26 19:28:00
除杂波及毛刺尖峰. 2. 减小印刷板和功能元件的杂散电感和杂散电容. 3. 根据频谱范围合理选择高频、低频滤波器的组合.以及器件的频率响应特性.
http://blog.alighting.cn/1019/archive/2007/11/26/8173.html2007/11/26 19:28:00
、材料生長和器件工藝水平的不斷發展和完善，各種顏色的超高亮度led取得突破性進展， 1991年nichia公司nakamura等人首先以藍寶石為襯底，研製成摻mg的gan同質結藍
http://blog.alighting.cn/1137/archive/2007/11/26/8181.html2007/11/26 19:28:00
管又叫光发射二极管（lighit emitting diode，简称为led）,是一种可将电能变为光能的器件，属于固态光源。随着led光色的不断丰富，特别是白光led技术的不断成
http://blog.alighting.cn/1049/archive/2007/11/26/8184.html2007/11/26 19:28:00
殊场合下的照明光源。目前，led倍受关注，正在努力将它发展成为第四代光源。本文简要地介绍了led的发展历史和它的市场需求状况。 一、led从显示器件向照明器件的发展
http://blog.alighting.cn/1136/archive/2007/11/26/8187.html2007/11/26 19:28:00
议，图案的变化（即面阵led图形控制）又是最新型的和高端的应用场合。前面提到的单通道dmx512协议最多可以驱动512个地址器件，因此采用新的方法来驱动多达几千个地址器件就是研究的重
http://blog.alighting.cn/1137/archive/2007/11/26/8188.html2007/11/26 19:28:00
质上是一个高频逆变器件，它把频率为50hz的电网电压逆变成25~50khz的高频电压，使荧光灯工作在这个高频电压下，这样电子镇流器本身功耗可降低到1.5w左右，电网侧功率因数可高达0.9
http://blog.alighting.cn/1135/archive/2007/11/26/8191.html2007/11/26 19:28:00
守的发展预测，到2009年全球仅gan基led器件市场将达48亿美元的销售额。 一、交通信号灯 航标灯 、道路交通信号灯、飞机场跑道用的信号灯（ 如led投光
http://blog.alighting.cn/1136/archive/2007/11/26/8195.html2007/11/26 19:28:00
摘 要：太阳电池是一种将光能转为电能的半导体器件，发光二极管（也叫光发射二极管led）是一种将电能转换为光能的半导体器件，两者的结构和性能有着很多的相似之处，如将两者结合在一
http://blog.alighting.cn/1136/archive/2007/11/26/8199.html2007/11/26 19:28:00
