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瓦,与其它结构的比较如图3所示。台湾地区紧随其后，最近几年发展很快，图4给出了ingaalp超高亮度led的几种新型结构。除外延片的内量子效率在不断提高外，主要体现在：随着芯片结
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
件的电光转换效率（又称外量子效率），使尽可能多的输入功率转变成光能，另一个重要的途径是设法提高元件的热散失能力，使结温产生的热，通过各种途径散发到周围环境中
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120864.html2010/12/14 21:45:00
无宽裕散热空间但却可装置散热风扇。 图中为ingan与alingap两种led用的半导体材料，在各尖峰波长（光色）下的外部量子化效率图，虽然最理想下可逼近40％，但若再
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/1/29/129427.html2011/1/29 10:03:00
阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00
性较好。由于这种方法的生长速率较慢，可以精确地控制膜厚，特别适合于量子阱、超晶格等超薄层结构的材料生长，但对于外延层较厚的器件，如leds和lds，生长时间较长，不能满足大规模生
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
场。 3.１、ｌｅｄ芯片 芯片是ｌｅｄ的核心，它的内部量子效率的高低直接影响到ｌｅｄ的发光效能，非辐射复合率则决定着芯片产热的大小。可以说只有制造出具有良好质量的ｌｅｄ芯片，才可能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134144.html2011/2/20 23:06:00
0-410nmnuv,450-460nm 蓝光均能高效地激发，发射红光。 研究表明，m2si5n8:eu 氮化物在 465nm 激发下的量子效率 h q 按 ca-ba-s
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134154.html2011/2/20 23:08:00
尽管酒店商照市场被各方所看好、热议，然而从2010年 led室内照明市场迅速启动以来，现实情况却是说的多做的少，在酒店特别是高档酒店中大量运用led产品的案例很少。根据深圳市量
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/4/6/148123.html2011/4/6 15:40:00
、斯派克、联创健和、洲明科技、艾比森、国星光电、路明集团、量子光电、瑞丰光电、鸿利光、雷曼光电、九洲光电、士兰明芯、迪源光电、华灿光电等众多知明led企业的大力支持。 【展
http://blog.alighting.cn/cioe0011/archive/2011/6/3/187230.html2011/6/3 11:48:00
用直流驱动要根据具体情况而定。如果用脉冲驱动发光管,一般不会缩短发光管的使用寿命发光管是一种量子器件适合高速工作,这正是发光管的优点之一。如果有闪烁使用的发光管频频损坏,那应该是其
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