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子阱结构,波长625nm 附近其外延片的内量子效率可达到100%,已接近极限。目前mocvd生长ingaalp外延片技术已相当成熟。ingaalp外延生长的基本原理是,在一块加热
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
等。不同的材料、不同的生长条件以及不同的外延层结构都可以改变发光的??色和亮度。其实,在几微米厚的外延层中,真正发光的也仅是其中的几百纳米(1微米＝1000纳米)厚的量子阱结构。反应
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
度led外延材料的重要前提。algainp超高亮度led采用了mocvd的外延生长技术和多量子阱结构,波长625nm 附近其外延片的内量子效率可达到100%,已接近极限。目前mocv
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
光效率、色品坐标、相关色温、色纯度和主波长、显色指数等参数。矿灯用的ｌｅｄ,主要是光通量指标,一般矿灯要求达到３０lｍ以上,国内市场上的pｏｗｅｒled一部分能达到这个要求,量子光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229967.html2011/7/17 23:40:00
术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00
与alingap两种led用的半导体材料,在各尖峰波长(光色)下的外部量子化效率图,虽然最理想下可逼近40％,但若再将光取效率列入考虑,实际上都在15％;25％间,何况两种材料在更高效
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230092.html2011/7/18 23:40:00
阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增大芯
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230167.html2011/7/19 0:22:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230168.html2011/7/19 0:22:00
应过程简单，可以实时表征或精确监控生长表面的结构、成分和膜厚，生长温度低，均匀性较好。由于这种方法的生长速率较慢，可以精确地控制膜厚，特别适合于量子阱、超晶格等超薄层结构的材料生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
须要面对的技术难题。而要真正开拓出一个全新的半导体照明时代，我们还要从以下几个方面努力攻克技术难题以及进一步规范半导体照明市场。3.１、ｌｅｄ芯片芯片是ｌｅｄ的核心，它的内部量子效
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