站内搜索
穿的不同面料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏，蓝宝石衬底芯片的esd值就
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/2/29/265106.html2012/2/29 15:14:13
于可控硅调光。图15可用于高功率ledpar灯的反激式隔离型恒流电源 这个电路图是一个给24瓦par灯用的演示板的电路图。其主要技术指标如下： 这个市电恒流源因为功率大，而且可以适应
http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267453.html2012/3/10 10:32:20
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267554.html2012/3/12 19:15:22
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267565.html2012/3/12 19:23:39
集光线的几何条件。 4.照度计 照度计通常由带导线的光电池和用来读出照度的电表组成。它可以直接用于照明现场进行测量。简单的照度计可采用硒光电池，精度较高的照度计采用硅光电池。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268067.html2012/3/15 21:13:42
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268378.html2012/3/15 21:58:25
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268383.html2012/3/15 22:02:42
常是由硒光电池或硅光电池和微安表组成（见图１）。硒光电池是把光能直接转换成电能的光电元件。当光线射到硒光电池表面时，入射光透过金属薄膜到达半导体硒层和金属薄膜的分界面上，在分界面上产
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268452.html2012/3/16 13:12:34
度却有可能超过容许值，最后业者终于领悟到解决封装的散热问题才是根本方法。led英才网 有关led的使用寿命，例如改用硅质封装材料与陶瓷封装材料，能使led的使用寿命提高一位数，尤
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/3/17/268592.html2012/3/17 13:34:50
电的多少，与人穿的不同面料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。 碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏，蓝宝石
http://blog.alighting.cn/126414/archive/2012/4/10/271122.html2012/4/10 17:21:37
