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层侧壁的横向外延片生长。采用这种方法,不需要掩膜,因此 避免了gan和醃膜材料之间的接触。5.研发波长短的uv led外延片材料 它为发展uv三基色萤光粉led.htm"白光le
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
led萤光粉配胶程序是led工艺中,相当基础的一环,我们来看看是怎么做的。 准备工作: 1、开启并检查所有的led生产使用设备(烤箱、精密电子称、真空箱) 2、用丙
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120543.html2010/12/13 23:02:00
led产品的光衰就是光在传输中的讯号减弱,而现阶段全球led大厂们做出的led产品光衰程度都不同,大功率led同样存在光衰,这和温度有直接的关係,主要是由芯片、萤光粉和封装技术决
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120541.html2010/12/13 23:01:00
子效率的荧光特性,荧光光谱主要分布400-700nm可见光区域。b.良好的半导体特性,即具有高的导电率,能传导电子或空穴或两者兼有。c.好的成膜性,在几十纳米的薄层中不产生针孔。d
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120521.html2010/12/13 22:52:00
合红、绿和蓝三色led发出的光,也可利用蓝光led和黄光荧光粉来实现。两种选择都需要基于gan的蓝光led,所有不同类型的这种器件都有一个共同的缺点:大部分的光被束缚在有源区内,不
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120518.html2010/12/13 22:51:00
yag:ce(y3al5o12: ce)荧光粉早在20世纪60年代就已被研制出来,并且被应用于阴极射线飞点扫描管中(阴极射线荧光粉的牌号为p46),它主要是利用该荧光粉的超短余
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120516.html2010/12/13 22:50:00
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - n型gan层生长 - 多量子阱发光层生 - p型gan层生长 - 退火 - 检测(光荧光、x射线) - 外延片 外延片- 设计、加工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
“蓝光技术”与荧光粉配合形成白光;第二种是多种单色光混合方法。这两种方法都已能成功产生白光器件。第一种方法产生白光的系统如图1所示,图中ledgam芯片发蓝光(λp=465nm),
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120507.html2010/12/13 22:42:00
泡已经摆脱了传统灯泡外型, 采用比较独特的皇冠形状,发光部分设计成为4瓣, 每瓣由整块的led芯片和荧光体组成。 此款 led灯泡由飞利浦美国、荷兰和中国的led专家团队共
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120499.html2010/12/13 22:34:00
持高效照明产品替代白炽灯和其他低效照明产品,财政部门重点支持5大类照明产品:普通照明用自镇流荧光灯(俗称节能灯)、三基色双端直管荧光灯(t8、t5型)、金属卤化物灯、高压钠灯等电光
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