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微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高led器件的可靠性。通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方法,为gan2led外
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
明产品的基本技术要求、试验方法，其中包括产品的分类、光电性能要求，安全要求及电磁兼容要求。本技术规范适用于额定电压ac 220v，频率50hz交流供电的用于次干道和支路的led道
https://www.alighting.cn/resource/2011/1/23/114427_54.htm2011/1/23 11:44:27
针对目前led路灯缺少智能控制的问题，基于物联网嵌入式技术，潍坊明锐光电科技有限公司开发出一款智能led路灯控制系统，在潍坊实现了20余条道路、40oo余盏led路灯的规模化智
https://www.alighting.cn/resource/20150317/83522.htm2015/3/17 14:51:43
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，gan/si基器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
地铁照明这块诱人的市场蛋糕惹馋了不少照明厂商的嘴。无论是飞利浦、三雄.极光等老牌灯企，还是新力光源、史福特照明、升谱光电等led企业都在竞相抢占地铁照明市场。因而，为了更好解读地
https://www.alighting.cn/2013/8/13 9:27:06
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
半导体晶片直接键合技术已成为半导体工艺的一门重要技术 ,它对实现不同材料器件的准单片集成、光电子器件的性能改善和新型半导体器件的发展起了极大的推动作用。文中详细叙述了近十年来
https://www.alighting.cn/resource/20130424/125679.htm2013/4/24 10:53:06
微缺陷与器件可靠性的关系密切;减少外延晶片中的微缺陷密度有利于提高led器件的可靠性。通过建立从外延片晶体结构质量、芯片光电参数分布到器件可靠性的分析实验方法,为gan-led外
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
本工作对比研究了蓝宝石图形衬底(pss)和平面衬底(non-pss)上制备gan基45mil功率型led芯片的光电特性。相比较平面衬底，在pss衬底上制备的大功率芯片的发光效率提
https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44
led简称发光二极管，由于它具有环保、寿命长、光电效率高(目前光效已经达到100lm/w)、抗震等众多优点，近年来在各行业应用得以快速发展，理论上，led的使用寿命在10万小时左
https://www.alighting.cn/resource/20130111/126183.htm2013/1/11 9:43:02
