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太阳能路灯1.光源功率：40w-140w2.单晶/多晶硅太阳电池组件：110ｗ-440ｗ3.高能阀控制免维护铅酸（胶体）蓄电池：100ah-400ah4.太阳能灯具专用控制器：过
http://blog.alighting.cn/sanhui1478/archive/2008/8/21/329.html2008/8/21 14:38:00
太阳能庭院灯1.光源功率：10w-20w2.单晶/多晶硅太阳电池组件：20ｗ-90ｗ3.高能阀控制免维护铅酸（胶体）蓄电池：12ah-100ah4.带温度补偿光控时控型控制器5
http://blog.alighting.cn/sanhui1478/archive/2008/8/21/330.html2008/8/21 14:39:00
太阳能手机充电器1.使用高转换效率的进口单晶硅或多晶硅片，太阳能转换率达15%以上2.太阳能电池板规格为：5.5v80mah3.输出电压：5.5v4.充电器内置高容量可充电锂电
http://blog.alighting.cn/sanhui1478/archive/2008/8/21/335.html2008/8/21 14:45:00
【太阳能庭院灯】1.光源功率：10w-20w2.单晶/多晶硅太阳电池组件：20ｗ-90ｗ3.高能阀控制免维护铅酸（胶体）蓄电池：12ah-100ah4.带温度补偿光控时控型控制器
http://blog.alighting.cn/liuhui123/archive/2009/6/9/3777.html2009/6/9 14:37:00
http://blog.alighting.cn/liuhui123/archive/2009/6/9/3778.html2009/6/9 14:38:00
氮化镓衬底用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
须从形成用于蓝色发光二极管的单晶膜着手。其技术包括mbe法(molecular beam epitaxy,分子束外延)注1)和mocvd法(metal organi
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/4/14/40243.html2010/4/14 22:51:00
机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition，简称mocvd)技术生长iii-v族，ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
寸体单晶生长极为困难，现在所有成熟的器件都是以蓝宝石或sic异质衬底为基础的。但从晶格匹配和电导、热导特性上看，蓝宝石还不是理想的异质外延衬底，而sic衬底与gan之间虽然晶格失
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
学气相淀积(metal-organic chemical vapor deposition,简称mocvd)技术生长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。下
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
