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法国科学家最新研究显示，「单晶」(monolithic)白光发光二极管(wled)的表现可望超越先前使用复合技术制造的wled。据瞭解，crhea-cnrs的benjami
https://www.alighting.cn/news/20081223/105943.htm2008/12/23 0:00:00
产2000万片2-4英寸led蓝宝石衬底片，项目建成后，年可实现销售100亿元，利税40亿元，阜宁将成为中国大陆最大的蓝宝石单晶衬底片生产基
https://www.alighting.cn/news/20100930/107146.htm2010/9/30 0:00:00
以微机单晶硅为主要构成的mems传感器也被应用于汽车、工业、农业，医疗等各行各业
https://www.alighting.cn/news/20131220/109211.htm2013/12/20 13:41:55
4h-sic单晶衬底的芯片研制及产业化” 两个项目顺利通过主管部门的验
https://www.alighting.cn/news/20120918/112826.htm2012/9/18 15:29:59
外，目前也开始切入led蓝宝石单晶，维持市场竞争优势，2009年营收和获利可望持续成
https://www.alighting.cn/news/20080903/117389.htm2008/9/3 0:00:00
d相比，有望提高演色性及色再现性。另外，该小组还称，制造gan类led时很难采购到高品质的低价单晶底板，但zno类led可轻松合成单晶底板。因此，有望以较低的成本量产采用单晶底
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180479.html2011/5/27 22:40:00
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27
向分布。探讨了该分布与晶体生长过程及晶体质量的关系,测量分析结果可为生长工艺参数的优化提供参考。还采用主扩散模型对测量结果进行高斯拟合,得出了高温时(1030℃)硅在gan中的扩散系
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
门晶体管技术（台积电计划14nm节点启用类似的finfet技术）的芯片产品。而台积电这次推出采用3-d芯片堆叠技术半导体芯片产品的时间点则与其非常靠近。 虽然台积电在与inte
http://blog.alighting.cn/heriver/archive/2011/7/7/228960.html2011/7/7 16:56:00
