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首尔半导体展出利用GaN晶体非极性面的白色led

韩国首尔半导体(seoul semiconductor)开发出了在1mm见方蓝色led芯片上组合荧光材料,实现了光通量为500lm左右的白色。该开发品的特点是比以前的产品更容易提高

  https://www.alighting.cn/pingce/20130123/121934.htm2013/1/23 11:10:35

GaN垒层厚度渐变的双蓝光波长发光二极管

ingan/gan 基led 的红光部分发光效率较低,导致相关白光led 发光效率远低于蓝光加荧光粉的白光led 的效率.最近,mirhosseini等人通过模拟结果显示利用双蓝光

  https://www.alighting.cn/resource/20150119/123736.htm2015/1/19 13:36:40

ito表面粗化提高GaN基led芯片出光效率

本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito 表面粗化,有效地提高了led芯片的输出光功率。

  https://www.alighting.cn/2014/11/27 10:18:00

人体模式静电对GaN 基蓝光led载流子运动及其可靠性的影响

静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。

  https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34

中村修二:看好ld激光照明与GaN基板发展

中村修二此行分享了他在研发蓝光led与后续在led方面的心路历程与成果,以及提供他对未来led产业、ld产业发展的分析洞见。

  https://www.alighting.cn/news/20150410/84296.htm2015/4/10 9:36:19

用氧化制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色(2)

采用β-ga2o3制作基板时,可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法,这也是其特点之一,

  https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04

首尔与威宝共同推出新led芯片技术的卤素替代灯

npola”使用来自威宝母公司三菱化学株式会社的专用氮化(GaN)衬底用于氮化的外延生长,从而取代蓝宝石或碳化硅衬底。首尔半导体的 专利“npola”结构最大限度地减少活跃层

  https://www.alighting.cn/pingce/20130117/122147.htm2013/1/17 10:03:20

晶元GaN-on-si晶片即将量产 称霸led照明?

晶元光电氮化(GaN)布局再下一城。继年初取得德国allos semiconductors矽基氮化(GaN-on-si)的技术授权后,晶元光电即将于近期投产GaN-on-s

  https://www.alighting.cn/pingce/20151214/135203.htm2015/12/14 9:26:23

【led照明第二幕】(四)2mm见方芯片实现大光通量,光线“比白色还白”

GaN基板主要有两大效果。一是(3)通过为led芯片加载大电流密度,大幅提高亮度。二是(4)确保高显色指数,实现眩光少、保护眼睛的光。

  https://www.alighting.cn/news/20140701/97428.htm2014/7/1 9:44:39

晶电进驻广嫁 股票有望第四季度上市

随着广董监改选的完成,广也正式成为晶电的成员。市场预期未来广在产品的研发、生产、业务、采购等各方面,都将与晶电有更进一步的整合。

  https://www.alighting.cn/news/20100907/118127.htm2010/9/7 0:00:00

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