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极接点散失之效能。因此，近年来，国内 外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式有二，其一为寻找高散热系数之基板材料 ，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271420.html2012/4/10 21:43:01
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271417.html2012/4/10 21:42:52
源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪gan(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271167.html2012/4/10 20:58:52
以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07
掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39
构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有：日本的nichia；美国的lumileds、gree；德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271135.html2012/4/10 20:56:26
是芯片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。首先是芯片，目前，led芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/4/10/270972.html2012/4/10 10:08:32
图形化衬底(pss)技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷，在氮化物器件制备中得到了广泛的应用。但是由于蓝宝石具有稳定的化学和物理性质，使得很难进行刻蚀和图形化制作。
https://www.alighting.cn/2012/4/9 13:18:31
元以上。另值得关注的是，普瑞光电矽基氮化镓led将于明年正式启动委外量产，此新技术对未来led产业的影响性，各界亦格外关
https://www.alighting.cn/news/20120405/85479.htm2012/4/5 10:27:11
片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。首先是芯片，目前，led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新
http://blog.alighting.cn/125858/archive/2012/4/1/270043.html2012/4/1 22:16:49
