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闪光灯led器件，为佛山市国星光电股份有限公司2018神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20180226/155294.htm2018/2/26 15:12:11
.研究了实验过程中工艺条件的改变对所制备gan纳米结构形貌特征的影响.对两种gan纳米材料的拉曼散射光谱进行了分
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04
新世纪led网评测室推出《6款低成本led球泡灯内部结构解密(上)》之后，引发了各方争议，作为led人士，您怎么看? 根据上一节的结构拆解，您是否已经猜出每一款的价格?各款产
https://www.alighting.cn/pingce/20121116/123432.htm2012/11/16 15:44:12
一份出自北京大学，关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学gan基led》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00
欧司朗光电半导的红外线芯片原型产品创新纪录，效率最高可达72%。在实验室条件下，1a操作电流下的输出约为930 mw，这芯片的光输出比市面上目前可得的芯片高约25%，这表示，未来的
https://www.alighting.cn/pingce/20121212/122029.htm2012/12/12 9:27:12
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
nanocalc系统适用于多种波长、多种采样方式以及光学厚度(1.0nm~250μm)要求。用户可以在4种标准型号中(涵盖200~1700nm)做出选择，并且将它们与软件、反射探头
https://www.alighting.cn/news/20120831/113007.htm2012/8/31 13:45:54
性较好。由于这种方法的生长速率较慢，可以精确地控制膜厚，特别适合于量子阱、超晶格等超薄层结构的材料生长，但对于外延层较厚的器件，如leds和lds，生长时间较长，不能满足大规模生
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
长，但对于外延层较厚的器件，如leds和lds，生长时间较长，不能满足大规模生产的要求，而且当采用等离子体辅助方式时，要采取措施避免高能离子对于薄膜的损伤。2.3 hvpe人们最早就
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》内容：lain-aigan-gan,研究动机,材料的生长和表征;gan-ingan材料,研究动机,材料的生长和表征,在沟槽gan模板层上生
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15
