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高亮度led封装工艺技术及方案

断改进,如利用不同的电极设计控制电流密度,利用ito薄膜技术令通过led的电流能平均分布等,使led芯片在结构上都尽可能产生最多的光子。再运用各种不同方法去抽出led发出的每一粒光

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230474.html2011/7/20 23:07:00

绿色环保 利乐包变身银光闪闪的吊灯

利乐包的发明带给了我们方便的同时,也给我们带来很多不便。利乐包不是一种环保的设计,复合的材料中有塑料薄膜、铝箔、卡纸,不利于回收,制作工艺相对复杂。马来西亚设计师ed chew奇

  https://www.alighting.cn/case/2011/7/20/143233_30.htm2011/7/20 14:32:33

涂料油漆专用纳米氧化铝

能,广泛用于塑料,橡胶,陶瓷,涂料,聚酰 亚胺薄膜,聚酯薄膜,聚酯纤维布等绝缘产品,可以提高涂层的致密度和介电击穿强度, 绝缘性能可以提高3倍以上 4, 导热性:添加了纳米氧

  http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2011/7/20/230394.html2011/7/20 11:06:00

si衬底gan基材料及器件的研究

长,但对于外延层较厚的器件,如leds和lds,生长时间较长,不能满足大规模生产的要求,而且当采用等离子体辅助方式时,要采取措施避免高能离子对于薄膜的损伤。2.3 hvpe人们最早就

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00

gan基发光二极管的可靠性研究进展

题,但是与集成电路中互连线金属电迁移有所不同,主要是纵向迁移,即p型欧姆接触金属沿缺陷管道电迁移到达结区造成短路[7-11],导致器件失效。由于没有匹配的衬底材料,外延生长的gan薄

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00

led结构生长原理以及mocvd外延系统的介绍

免mo gas金属有机蒸发源与nh3在预热区就先进行反应3进料流速与薄膜长成厚度均。一般来说gan的成长须要很高的温度来打断nh3之n-h的键解,另外一方面由动力学仿真也得

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230341.html2011/7/20 0:17:00

高能效的led区域照明

低esr的聚丙烯薄膜电容。图二:输入电

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230321.html2011/7/20 0:07:00

日本开发出制作有机半导体单晶薄膜的新技术

日本一个研究团队14日在英国《自然》杂志网络版上报告说,他们开发出一种制作有机半导体单晶薄膜的新技术。新技术由日本产业技术综合研究所等机构的科研人员联合开发。据称,该技术能使平

  https://www.alighting.cn/news/20110718/100410.htm2011/7/18 11:05:43

液晶电视屏幕类型

同,也可以将其分为无源矩阵显示器中的双扫描无源阵列显示器(dstn-lcd)和有源矩阵显示器中的薄膜晶体管有源阵列显示器(tft-lcd)。所谓dstn双扫描扭曲阵列,是液晶的一

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229956.html2011/7/17 23:34:00

inn材料的电学特性

示、高效率太阳能电池的优良半导体材料。一、制造inn薄膜目前存在的难题制备高质量的inn体单晶材料和外延薄膜单晶材料是研究和开发inn材料应用的前提。但是,制造inn薄膜有两大困

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00

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