站内搜索
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
位。基于科锐c2m?大尺寸sic芯片技术，这一新款半桥式模块能够实现令人称赞的8m?导通电阻以及比现有si集模块技术高10倍的开关效率，从而使得能够替代额定400a甚至更高的si
https://www.alighting.cn/pingce/20141013/121580.htm2014/10/13 9:55:57
gan基蓝光led高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了gan材料和gan基蓝光led器件结构的发展，阐述了为改善led性能的一些新措施，led在照明光源上的应用优势，给
https://www.alighting.cn/2014/10/11 11:37:06
静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34
现在国内外道路照明以高压钠灯为主要光源， 占路灯总量的95%以上，其它光源为：金卤灯、陶瓷金卤灯、led灯、无极灯和荧光灯等，现在国内使用的高压钠灯有一亿多只。附件为《浅议路灯节
https://www.alighting.cn/resource/2014/10/10/18536_83.htm2014/10/10 18:05:36
在si衬底gan 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
修二目前在美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校（ucsb）任教授一职。ucsb对于中村开发的gan基半导体光器件表示，“这是在过去30年半导体材料科学领域中，最为重要的成就之一”。其
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2014/10/9/358745.html2014/10/9 16:35:03
型欧姆接触以梳状插入其中，芯片尺寸，从而使当前的扩展距离可以缩短，以尽量减少支持和铟镓铝氮化物扩散阻力的esd保护二极管(esd)的硅芯片安装颠倒焊锡凸块。③陶瓷板倒装法。通用装
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48
采用440 nm短波长ingan/gan基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led,研究了不同胶粉配比对led发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20141008/124238.htm2014/10/8 10:13:30
